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기판;상기 기판상에 형성되고, 표면적을 넓히는 다수의 미세 기공을 포함하는 산화막; 상기 산화막상에 형성된 저항체; 및상기 기판과 상기 산화막 사이에 형성된 캐비티;를 포함하는, 진공 센서
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제 1항에 있어서,상기 캐비티의 높이는 상기 기판의 높이보다 낮은, 진공 센서
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제 2항에 있어서,상기 캐비티는 상기 기공을 통한 기판에 대한 식각 공정을 통해 형성되는, 진공 센서
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제 3항에 있어서,상기 캐비티의 높이는 식각액이나 식각 플라즈마 가스의 종류, 농도, 식각 공정 온도 및 식각 시간 중 적어도 하나를 변경하여 상기 식각 공정을 수행함으로서 변경되는, 진공 센서
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제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 패시베이션층을 포함하고,상기 캐비티는 상기 패시베이션층과 상기 산화막 사이에 형성된, 진공 센서
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제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화막은 상기 기판과 상기 캐비티를 전반적으로 커버하는 형태로 형성된, 진공 센서
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제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화막은 중심부에 위치한 제1영역, 상기 기판의 가장자리를 둘러싼 제2영역 및 상기 제1영역과 상기 제2영역을 연결하는 제3영역을 포함하는 형태로 형성된, 진공 센서
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제 1항에 있어서,상기 기판상에 형성된 절연층; 및상기 절연층상에 형성된 전극층;을 더 포함하는, 진공 센서
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제 8항에 있어서,상기 캐비티의 높이는 상기 기판의 높이, 상기 절연층의 높이, 및 상기 전극층의 높이를 합한 값보다 작은, 진공 센서
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기판상에 산화물질을 형성하는 단계;상기 산화물질에 양극 산화를 수행하여 표면적을 넓히는 다수의 미세 기공을 포함하는 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막상에 저항체를 형성하는 단계; 및상기 기판과 상기 산화막 사이에 캐비티를 형성하는 단계;를 포함하는, 진공 센서 제조 방법
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제 10항에 있어서,상기 캐비티의 높이는 상기 기판의 높이보다 낮은, 진공 센서 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 캐비티는 상기 기공을 통한 상기 기판에 대한 식각 공정을 통해 형성되는, 진공 센서 제조 방법
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제 12항에 있어서,상기 캐비티의 높이는 식각액이나 식각 플라즈마 가스의 종류, 농도, 식각 공정 온도 및 식각 시간 중 적어도 하나를 변경하여 상기 식각 공정을 수행함으로서 변경되는, 진공 센서 제조 방법
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제 11항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 패시베이션층을 포함하고,상기 캐비티는 상기 패시베이션층과 상기 산화막 사이에 형성된, 진공 센서 제조 방법
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제 11항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화막은 상기 기판과 상기 캐비티를 전반적으로 커버하는 형태로 형성된, 진공 센서 제조 방법
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제 11항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 산화막은 중심부에 위치한 제1영역, 상기 기판의 가장자리를 둘러싼 제2영역 및 상기 제1영역과 상기 제2영역을 연결하는 제3영역을 포함하는 형태로 형성된, 진공 센서 제조 방법
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제 10항에 있어서,상기 기판상에 상기 산화물질을 형성하는 단계는,상기 기판상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층상에 전극층을 형성하는 단계; 및상기 전극층상에 상기 산화물질을 형성하는 단계;를 포함하는, 진공 센서 제조 방법
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제 17항에 있어서,상기 캐비티의 높이는 상기 기판의 높이, 상기 절연층의 높이, 및 상기 전극층의 높이를 합한 값보다 작은, 진공 센서 제조 방법
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