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한 쌍의 2차원 활성층;상기 2차원 활성층 사이에 위치하는 물성 제어층;을 포함하고,상기 물성 제어층은 외부 환경 인자에 따라 구조 및 상태 중 어느 하나 이상이 변환되어 상기 2차원 활성층 사이의 가역적 전환을 수행하는 것인 에너지 변환 소재
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제 1항에 있어서,상기 2차원 활성층은,상기 물성 제어층의 상기 가역전 전환에 따라 광전, 압전, 열전 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 성질을 구비하는 것인, 에너지 변환 소재
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제 1항에 있어서,상기 2차원 활성층은,전이금속 디칼코게나이드계 화합물, 그래핀, SiC, h-BN, 포스포린 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 2차원 물질을 포함하는 것인, 에너지 변환 소재
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제 3항에 있어서, 상기 그래핀은 그래핀, 산화 그래핀, 환원된 산화 그래핀 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 에너지 변환 소재
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제 3항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드계 화합물은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 불화수소(Hf), 지르코늄(Zr), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 백금(Pt), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 주석(Sn) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 전이금속을 포함하는 것인, 에너지 변환 소재
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제 3항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드계 화합물은 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 원소를 포함하는 것인, 에너지 변환 소재
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제 3항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드계 화합물은 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, TiS2, TiSe2, TiTe2, HfS2, HfSe2, HfTe2, ZrS2, ZrSe2, ZrTe2, TcS2, TcSe2, TcTe2, ReS2, ReSe2, ReTe2, PdS2, PdSe2, PtS2, PtSe2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 에너지 변환 소재
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제 1항에 있어서,상기 외부 환경 인자는,빛, 온도 및 압력 중 어느 하나 이상인 것인,에너지 변환 소재
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제 1항에 있어서,상기 물성 제어층은,상기 외부 환경 인자에 의해 구조가 변환되는 유기 화합물 및 상기 외부 환경 인자에 의해 상태가 변환되는 금속-절연체 전이(MIT, metal-insulator transition) 재료 중 어느 하나 이상을 포함하는 것인,에너지 변환 소재
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제 1항에 있어서,상기 물성 제어층은 이성질체(isomer)로 구조가 변화하여 빛 또는 압력에 의해 구조 또는 성질이 변하는 물질 군들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인, 에너지 변환 소재
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제 1항에 있어서,상기 이성질체는 아조벤젠(azobenzene) 스틸벤(stilbene), 스피로피란 (spiropyran), 풀기드(fulgide), 디아릴에텐(diarylethene), 나프토피란(napthopyran) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인,에너지 변환 소재
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제 11항에 있어서,상기 아조벤젠은,벤젠고리의 2번 또는 6번 탄소에 치환기로서 -OH 또는 -SH기를 포함하는 것인, 에너지 변환 소재
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제 11항에 있어서,상기 아조벤젠은,벤젠고리의 4번 탄소에 치환기로서 - -NHCHO 또는 -COOH기를 포함하는 것인, 에너지 변환 소재
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제 1항에 있어서,상기 2차원 활성층 및 상기 물성 제어층은 교번하여 2층이상 적층된 것을 포함하는 것인, 에너지 변환 소재
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제 1항에 있어서,상기 물성 제어층은외부의 광이 존재하는 경우 광전 변환 모드로 전환되고, 외부에 광이 존재하지 않는 경우 압전 변환 모드로 전환되는 것인,에너지 변환 소재
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