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둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 모스펫 제조방법

  • 기술번호 : KST2019002973
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법에 있어서, n형 소스층의 상부에 더미에피층(dummy epi layer) 및 식각마스크를 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 식각마스크를 이용하여 트렌치를 식각하는 단계와; 열처리를 통해 상기 트렌치의 코너(coner)를 둥글게 형성하는 단계와; 연마를 통해 상기 더미에피층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 트렌치 게이트형 MOSFET을 제조함에 있어 식각을 통해 트렌치를 형성하고 트렌치의 원하는 곡률 반경 이상으로 형성되는 두께의 더미에피층을 통해 트렌치 코너의 곡률 제어가 가능한 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/304 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7854(2013.01) H01L 29/7854(2013.01) H01L 29/7854(2013.01)
출원번호/일자 1020170124411 (2017.09.26)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0035331 (2019.04.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.03.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강인호 경상남도 진주시 강남로 **,
2 김상철 경상남도 창원시 성산구
3 김형우 경상남도 창원시 성산구
4 나문경 경상남도 창원시 성산구
5 문정현 경상남도 김해시 율하*로 **, *
6 방욱 경상남도 창원시 성산구
7 석오균 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0941093-86
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0318343-42
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법에 있어서,n형 소스층의 상부에 더미에피층(dummy epi layer) 및 식각마스크를 순차적으로 적층하는 단계와;상기 식각마스크를 이용하여 트렌치를 식각하는 단계와;열처리를 통해 상기 트렌치의 코너(coner)를 둥글게 형성하는 단계와;연마를 통해 상기 더미에피층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 더미에피층을 제거하는 단계 이후에,산화막 증착 및 이온주입 마스크를 형성하는 단계와;상기 이온주입 마스크를 이용하여 p형 소스층을 형성하는 단계와;상기 산화막을 식각하여 트렌치바닥을 형성하는 단계와;상기 트렌치바닥 주변에 게이트 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 더미에피층은 상기 n형 소스층이 둥글게 형성되는 것을 방지하며,상기 더미에피층의 두께는 상기 트렌치 코너의 곡률 반경 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 더미에피층은 드리프트층과 동일한 탄화규소(SiC) 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리를 통해 상기 트렌치의 코너(coner)를 둥글게 형성하는 단계에서, 상기 더미에피층을 통해 드리프트층이 재성장(regrow)하여 상기 트렌치의 코너가 둥글게 형성되는 것을 특징으로 하는 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 열처리는 1500 내지 1800℃에서 실란(SiH4), 수소(H2) 또는 아르곤(Ar) 분위기 하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 연마는 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP)인 것을 특징으로 하는 둥근 트렌치 코너를 갖는 트렌치 게이트형 MOSFET 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 한국전기연구원연구운영비지원 고전압, 고전류밀도 SiC기반 차세대 전력소자 개발