1 |
1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치된 화학양론이 맞는(stoichiometric) 제1 전이금속 산화막;상기 제1 전이금속 산화막 상에 배치되고, 화학양론이 맞는 막이되 상기 제1 전이금속 산화막에 비해 트랩밀도가 큰 제2 전이금속 산화막; 및상기 제2 전이금속 산화막 상에 배치된 상부 전극을 포함하는 가스 센서
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 전이금속 산화막과 상기 제2 전이금속 산화막은 TiO2, NiO, CuO, Cu2O, 또는 HfO2인 가스 센서
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 제1 전이금속 산화막은 단결정막인 가스 센서
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 제1 전이금속 산화막은 5 내지 15nm의 두께를 갖고,상기 제2 전이금속 산화막은 2 내지 4nm의 두께를 갖는 가스 센서
|
8 |
8
제1항에 있어서,상기 상부 전극은 Pt막, Ir막, Cr막, 또는 Pd막인 가스 센서
|
9 |
9
제1항에 있어서,상기 가스 센서는 산소 센서인 가스 센서
|
10 |
10
하부 전극, 상기 하부 전극 상에 차례로 배치된 제1 전이금속 산화막과 상기 제1 전이금속 산화막에 비해 트랩밀도가 큰 제2 전이금속 산화막, 및 상기 제2 전이금속 산화막 상에 배치된 상부 전극을 포함하는 가스 센서를 제공하는 단계;상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 동작 전계를 인가하여 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 기준 전류를 흐르게 하는 단계; 및상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 동작 전계를 인가한 상태에서 상기 상부 전극이 산소에 접하면 상기 상부 전극을 통과하여 이온화된 산소 이온이 제2 전이금속 산화막의 트랩 내에 트랩핑되어 트랩밀도를 감소시킴에 따라 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 흐르는 전류의 량이 기준 전류에 비해 줄어들어 산소 기체를 센싱하는 단계; 및산소 기체를 센싱한 후, 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 사이에 동작 전계와는 반대 부호의 전계를 인가하여 상기 가스 센서를 재생하는 단계를 포함하는 가스 센서 동작 방법
|