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상변이물질 코어;상기 코어를 둘러싸는 포러스(Porous) 카본 제1쉘; 및상기 제1쉘을 둘러싸는 제2쉘을 포함하는 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 상변이물질은 Sn, in, Ga, Ge, Al, Pb, Li, Zn, Cu, Au, Ag, CaCO3, Na2CO3 또는 K2CO3인 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 포러스 카본 쉘의 기공크기는 0
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제1항에 있어서,상기 제2쉘은 MoC 또는 MoC2인 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 상변이물질 코어의 직경은 50 nm 내지 100μm이고,상기 카본 쉘의 두께는 10 내지 100 nm이고,상기 제2쉘의 두께는 10 내지 500 nm인 코어-쉘 고온 열저장재
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제1항에 있어서,상기 코어-쉘 고온 열저장재는 250 내지 700 ℃ 온도에서 잠열 또는 축열이 가능한 것을 특징으로 하는 코어-쉘 고온 열저장재
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고온고압 밀폐형 반응기에 코팅 대상 입자 및 카본소스를 공급하는 단계;상기 반응기를 밀폐하는 단계;상기 반응기를 1차 가열하여 상기 코팅 대상 입자 표면에 포러스 카본 층을 형성하는 단계;상기 코팅 대상 입자가 금속산화물인 경우, 상기 반응기를 환원성기체 분위기 하에서 2차 가열하여 상기 코팅 대상 입자를 환원하는 단계;상기 반응기에 몰리브덴 포스파이드 소스 또는 몰리브덴 칼코게나이드 소스를 공급하는 단계;상기 반응기를 3차 가열하여 상기 포러스 카본 층 표면에 몰리브덴 포스파이드 또는 몰리브덴 칼코게나이드 층을 형성하는 단계; 및상기 반응기를 4차 가열하여 상기 포러스 카본 층 표면에 금속탄화물 층을 형성하는 단계를 포함하는 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 코팅 대상 입자는 Al, Zn, Cu, Au, Ag, SnO2, In2O3, Ga2O3, GeO2, CaCO3, Na2CO3 또는 K2CO3인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 카본소스는 벤젠(Benzene, C6H6), 톨루엔(Toluene, C7H8), 스티렌(Styrene, C8H8), 인덴(Indene, C9H8), 헥산(Hexane, C6H14), 옥탄(Octane, C8H18), 액체 파라핀 오일(Paraffin oil, CxHy), 나프탈렌(Naphthalene, C10H8), 안트라센(Anthracene, C14H10), 플루오렌(Fluorene, C13H10), 고체 파라핀 (Paraffin, CxHy), 파이렌(Pyrene, C16H10), 탄소수 2 내지 8인 모노머로 이루어진 폴리머, 아세틸렌(Acetylene, C2H2), 에틸렌(Ethylene, C2H4), 프로판 (Propane, C3H8), 메탄(Methane, CH4), 폴리에틸렌(Polyethylene), 폴리스티렌(Polystyrene) 및 폴리프로필렌(Polypropylene)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 카본소스는 N, P 및 B로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 도핑 원소를 함유하는 카본 소스인 코어-쉘 고온 열저장재 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 카본소스는 멜라민(melamin, C3H6N6), 피리딘(pyridine, C5H5N), 아크릴로니트릴(acrylonitrile, C3H3N), 피롤(Pyrrole, C4H5N), 암모니아(NH3) 와 탄화수소 가스의 혼합 가스, 트리부틸포스핀(tributylphosphine, [CH3(CH2)3]3P), 포스포린(phosphorine, C5H5P), 트리페닐보란(triphenylborane, (C6H5)3B), 보리닌(Borinine, C5H5B), 트리에틸보란(triethylborane((C2H5)3B), 트리메틸보란 (trimethylboron, B(CH3)3), 또는 트리메틸보론-d9(trimethylboron-d9, B(CD3)3), 보란 디메틸아민(borane dimethylamine), 보란 피리딘(borane pyridine), 보란 트리메틸아민(borane trimethylamine), 보란 암모니아(borane-ammonia), 테트라부틸암모늄 시아노보로하이드라이드(tetrabutylammonium cyanoborohydride), 암모늄 테트라페닐보레이트(ammonium tetraphenylborate), 테트라부틸암모늄 보로하이드라이드(tetrabutylammonium borohydride), 테트라메틸암모늄 트리아세톡시보로하이드라이드(tetramethylammonium triacetoxyborohydride), 2,4,6-트리페닐보라진 (2,4,6-triphenylborazine) 및 보란 디페닐포스핀(borane diphenylphosphine)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 코어-쉘 고온 열저장재 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 몰리브덴 포스파이드 소스는 P 및 Mo(CO)6인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 몰리브덴 칼코게나이드 소스는 S, Ｈ２Ｓ, C6H5SeH, C12H10Se, Se(CH3)2, Se(C2H5)2 및 Mo(CO)6로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 1차 가열 온도는 550 내지 850 ℃이고,상기 1차 가열 시간은 10 내지 120 분인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 2차 가열 온도는 250 내지 550 ℃이고,상기 2차 가열 시간은 10 내지 120 분인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 3차 가열 온도는 400 내지 650 ℃이고,상기 3차 가열 시간은 10 내지 60 분인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 4차 가열 온도는 700 내지 950 ℃이고,상기 4차 가열 시간은 10 내지 120 분인 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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제7항에 있어서,상기 3차 가열 이후, 압력해제 없이 연속적으로 4차 가열하여 금속탄화물 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 코어-쉘 고온 열저장재 제조방법
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