맞춤기술찾기

이전대상기술

실리카 기판을 이용한 실리콘 패턴 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 디바이스

  • 기술번호 : KST2019003126
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 실리카 기판을 이용한 실리콘 패턴 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 디바이스가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 패턴 제조 방법은 다양한 결정 상태를 갖는 실리카 계열 또는 실리카를 포함하는 기판 상에 소정의 산화 서열을 갖는 물질을 이용하여 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 및 상기 박막의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하여 상기 패터닝 영역에 있는 상기 박막의 일부를 산화시키면서 인접한 실리카가 환원되어 실리콘 패턴이 형성되는 패턴 형성 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01)
출원번호/일자 1020170124064 (2017.09.26)
출원인 금오공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0035161 (2019.04.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.26)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강봉철 경상북도 구미시
2 백승현 경기도 안양시 만안구
3 권승갑 대구광역시 달서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 손재용 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동, 미진빌딩*층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0938727-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0028540-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0200546-58
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0505308-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0505307-26
7 등록결정서
Decision to grant
2019.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0662604-11
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-1253572-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리카 계열 또는 실리카를 포함하는 기판 상에 소정의 산화 서열을 갖는 물질을 이용하여 박막을 형성하는 박막 형성 단계; 및상기 박막의 미리 정해진 패터닝 영역에 레이저 빔을 조사하여 상기 패터닝 영역에 있는 상기 박막의 일부가 산화되면서 인접한 실리카가 환원되어 실리콘 패턴이 형성되는 패턴 형성 단계;를 포함하는, 실리콘 패턴 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 소정의 산화 서열을 갖는 물질은, 실리카보다 높은 산화 서열을 갖는 금속 물질 또는 비금속 물질인, 실리콘 패턴 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 패턴 형성 단계에서는, 상기 박막이 상기 인접한 실리카로부터 산소를 가져와 산화되어 상기 실리콘 패턴 위에 산화막 패턴이 형성되는, 실리콘 패턴 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 박막의 전부 또는 일부를 제거하는 박막 제거 단계;를 더 포함하는, 실리콘 패턴 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 박막 제거 단계에서는, 소정의 에칭 방식을 이용하여 상기 박막의 산화되지 않은 부분 또는 산화된 부분이 선택적으로 제거되는, 실리콘 패턴 제조 방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 디바이스
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 금오공과대학교 기초연구지원사업(기본연구) 광전자 소자의 대량/유연 생산을 위한 레이저 응용 마이크로/나노 패터닝의 병렬/고속/디지털 공정 기술