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기판에 n 타입 또는 p타입 GaN 층을 성장시키는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층 상에 Barrier 층을 성장시키는 단계;상기 Barrier 층 상에 u-GaN 층, 그리고 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계; 및상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층은, 상기 전극을 지나 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층의 횡방향으로 전류의 흐름 동안, 열을 발생시키는 히터 기능을 수행하고,상기 Barrier 층은, 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 흐르는 전류가 상기 Barrier 층을 지나 상기 u-GaN 층, 그리고 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층으로 흐르는 것을 막는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 Barrier 층은,상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 고저항 GaN 층 중 어느 하나의 층 또는 이 층들의 복합층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계는, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성시키고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 상기 검지물질층을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 두께 30 nm 이하의 GaN cap층, 산화막층 또는 질화막층을 단층 또는 다층으로 추가로 형성시키는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계는, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 옴성접촉 전극을 형성시키고, 쇼트키성 접촉을 형성하는 상기 검지물질층과 이와 연결된 옴성접촉 전극을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 전류가 인가되어 발생한 열은 상기 검지물질층에 전달되는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 이고,상기 InxAl1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 InxAlyGa1-x-yN층의 x와 y값은,0003c#x≤1, 0003c#y≤1, 0003c#(x+y)≤1 인 것인, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 3에 있어서,상기 Barrier 층을 형성시키는 상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 이고,상기 Barrier 층을 형성시키는 상기 InxAl1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에서 상기 기판을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기판은, 사파이어, AlN, Diamond, BN, SiC, Si 및 GaN로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기판상에 형성된 n 타입 또는 p타입 GaN 층은 스트라이프 형상으로 형성될 수 있으며, 스트라이프 형상의 두께, 폭, 간격, 전기전도도 등의 조절함을 통해 검지물질층의 반응시간(감도) 및 회복시간 조절이 용이한 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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기판;상기 기판에 성장되는 n 타입 또는 p타입 GaN 층; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층 상에 성장되는 Barrier 층;상기 Barrier 층 상에 성장되는 u-GaN 층;상기 u-GaN 층 상에 성장되는 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 형성된 패턴에 따라 형성되는 전극; 및상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에는 형성되는 검지물질층을 포함하고,상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층은, 상기 전극을 통해 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층의 횡방향으로 전류의 흐름 동안, 열을 발생시키는 히터 기능을 수행하고,상기 Barrier 층은, 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 흐르는 전류가 상기 Barrier 층을 지나 상기 u-GaN 층, 그리고 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층으로 흐르는 것을 막는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서, 상기 Barrier 층은, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 고저항 GaN 층 중 어느 하나의 층 또는 이 층들의 복합층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하되, 상기 검지물질층은, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 두께 30 nm 이하의 GaN cap층, 산화막층 또는 질화막층을 단층 또는 다층으로 추가로 형성시키는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성되는 옴성접촉 전극; 및쇼트키성 접촉을 형성하는 상기 검지물질층과 연결되는 옴성접촉 전극을 더 포함하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서,상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 이고,상기 InxAl1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서,상기 InxAlyGa1-x-yN층의 x와 y값은,0003c#x≤1, 0003c#y≤1, 0003c#(x+y)≤1 인 것인, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 16에 있어서,상기 Barrier 층을 형성시키는 상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 이고,상기 Barrier 층을 형성시키는 상기 InxAl1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서, 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 전류가 인가되어 발생한 열은 상기 검지물질층에 전달되는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서,상기 기판은, 사파이어, AlN, Diamond, BN, SiC, Si 및 GaN로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 14에 있어서, 상기 기판상에 형성된 n 타입 또는 p타입 GaN 층은 스트라이프 형상으로 형성될 수 있으며, 스트라이프 형상의 두께, 폭, 간격, 전기전도도 등의 조절함을 통해 검지물질층의 반응시간(감도) 및 회복시간 조절이 용이한 것을 특징으로 하는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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