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기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계; 상기 LED 에피층 상에 Barrier 층을 성장시키는 단계;상기 Barrier 층 상에 u-GaN 층, 그리고 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계; 및상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 Barrier 층은,AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 고저항 GaN 층 중 어느 하나의 층 또는 이 층들의 복합층으로 형성시키고,상기 LED 에피층에 흐르는 전류가 상기 Barrier 층을 지나 상기 u-GaN 층, 그리고 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층으로 흐르는 것을 막는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 LED 에피층은 상기 전극에 인가되는 전류에 의해 빛을 발생시키고, 상기 LED 에피층에 전류가 인가되어 발생한 빛은 상기 검지물질층을 광자극하는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계는, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성시키고, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 상기 검지물질층을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 두께 30 nm 이하의 GaN cap층, 산화막층 또는 질화막층을 단층 또는 다층으로 추가로 형성시키는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계는, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 옴성접촉 전극을 형성시키고, 쇼트키성 접촉을 형성하는 상기 검지물질층과 이와 연결된 옴성접촉 전극을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 LED 에피층은, p-GaN, MQW(Multi Quantum Well) 및 n-GaN이 순차적으로 적층되거나, n-GaN, MQW 및 p-GaN이 순차적으로 적층되는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 이고,상기 InxAl1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 InxAlyGa1-x-yN층의 x와 y값은,0003c#x≤1, 0003c#y≤1, 0003c#(x+y)≤1 인 것인, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서,상기 Barrier 층을 형성시키는 상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 이고,상기 Barrier 층을 형성시키는 상기 InxAl1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 LED 에피층에서 상기 기판을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기판은, 사파이어, AlN, Diamond, BN, SiC, Si 및 GaN로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법
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기판;상기 기판에 성장되는 LED 에피층; 상기 LED 에피층 상에 성장되는 Barrier 층;상기 Barrier 층 상에 성장되는 u-GaN 층;상기 u-GaN 층 상에 성장되는 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 형성되는 전극; 및상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에는 형성되는 검지물질층을 포함하고,상기 Barrier 층은, AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 고저항 GaN 층 중 어느 하나의 층 또는 이 층들의 복합층으로 형성시키고,상기 LED 에피층에 흐르는 전류가 상기 Barrier 층을 지나 상기 u-GaN 층, 그리고 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층으로 흐르는 것을 막는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서, 상기 LED 에피층은 상기 전극에 인가되는 전류에 의해 빛을 발생시키고, 상기 LED 에피층에 전류가 인가되어 발생한 빛은 상기 검지물질층을 광자극하는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 더 포함하되, 상기 검지물질층은, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이의 일부 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 두께 30 nm 이하의 GaN cap층, 산화막층 또는 질화막층을 단층 또는 다층으로 추가로 형성시키는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서, 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 형성되는 옴성접촉 전극; 및쇼트키성 접촉을 형성하는 상기 검지물질층과 연결되는 옴성접촉 전극을 더 포함하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서,상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 이고,상기 InxAl1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서,상기 InxAlyGa1-x-yN층의 x와 y값은,0003c#x≤1, 0003c#y≤1, 0003c#(x+y)≤1 인 것인, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서,상기 Barrier 층을 형성시키는 상기 AlxGa1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 이고,상기 Barrier 층을 형성시키는 상기 InxAl1-xN층의 x값은, 0003c#x≤1 인 것인, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서, 상기 LED 에피층은, p-GaN, MQW(Multi Quantum Well) 및 n-GaN이 순차적으로 적층되거나, n-GaN, MQW 및 p-GaN이 순차적으로 적층되는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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청구항 13에 있어서,상기 기판은, 사파이어, AlN, Diamond, BN, SiC, Si 및 GaN로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 재료로 만들어지는 것을 특징으로 하는, 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서
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