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리튬 이차전지용 고분자 재료 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019003147
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온 전도도와 전자 전도도를 동시에 갖는 리튬 이차전지용 고분자 재료 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 고분자 재료는 폴리티오펜계 고분자와 전도성 고분자의 블렌드 형태를 포함하며, 상기 고분자 재료는 폴리티오펜계 고분자를 형성하는 단계, 전도성 고분자를 형성하는 단계 및 상기 폴리티오펜계 고분자와 전도성 고분자를 열처리 하는 단계를 포함하는 제조방법을 거쳐 형성될 수 있다.
Int. CL H01M 4/62 (2006.01.01) H01M 10/0565 (2010.01.01) H01M 4/13 (2010.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) C08G 61/12 (2006.01.01) C08L 65/00 (2006.01.01)
CPC H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01) H01M 4/622(2013.01)
출원번호/일자 1020170126604 (2017.09.28)
출원인 주식회사 엘지화학, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0037019 (2019.04.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.13)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 채종현 대전광역시 유성구
2 이종찬 서울특별시 서초구
3 이연주 대전광역시 유성구
4 김대일 대전광역시 유성구
5 김루시아 대전광역시 유성구
6 이제훈 대전광역시 유성구
7 김나경 서울특별시 구로구
8 정다운 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, *층 (역삼동, 홍은빌딩)(워너비특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0955458-19
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1194380-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-1127941-86
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2019.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0061872-19
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0229705-58
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0555004-27
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-0554979-38
14 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2020.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0161506-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 폴리티오펜계 고분자 및 전도성 고분자를 포함하는 리튬 이차전지용 고분자 재료
2 2
제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리-(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS)를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 고분자 재료
3 3
제1항에 있어서, 상기 폴리티오펜계 고분자 및 전도성 고분자는 95:5 내지 80:20의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 고분자 재료
4 4
제1항에 있어서, 상기 고분자 재료는 10-6 내지 10-4 S/cm의 이온전도도를 가지는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 고분자 재료
5 5
제1항에 있어서, 상기 고분자 재료는 10-8 내지 10-2 S/cm의 전자전도도를 가지는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 고분자 재료
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 고분자 재료를 포함하는 리튬 이차전지용 양극
7 7
제6항에 따른 양극을 포함하는 리튬 이차전지
8 8
제1항에 따른 리튬 이차전지용 고분자 재료의 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은(a) 하기 화학식 1로 표시되는 폴리티오펜계 고분자를 형성하는 단계;(b) 전도성 고분자를 형성하는 단계; 및(c) 상기 폴리티오펜계 고분자와 전도성 고분자를 열처리 하는 단계를 포함하는 리튬 이차전지용 고분자 재료의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 (a)단계는 (a1) 티오펜아세트산에 메탄올과 황산을 넣어 티오펜메틸아세테이트를 형성하는 단계;(a2) 상기 티오펜메틸아세테이트에 염화철을 넣어 폴리티오펜메틸아세테이트를 형성하는 단계;(a3) 상기 폴리티오펜메틸아세테이트에 수산화나트륨을 넣어 폴리티오펜소듐아세테이트를 형성하는 단계;(a4) 상기 폴리티오펜소듐아세테이트에 염화수소를 넣어 폴리티오펜아세트산을 형성하는 단계; 및(a5) 상기 폴리티오펜아세트산에 폴리에틸렌글리콜을 넣어 폴리(3-폴리에틸렌글리콜 티오펜)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 고분자 재료의 제조방법
10 10
제8항에 있어서,상기 (c)단계에서 열처리는 120 내지 250℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 리튬 이차전지용 고분자 재료의 제조방법
11 11
하기 화학식 1로 표시되는 폴리티오펜계 고분자
12 12
제11항에 따른 폴리티오펜계 고분자의 제조방법에 있어서, 상기 제조방법은티오펜아세트산에 메탄올과 황산을 넣어 티오펜메틸아세테이트를 형성하는 단계;상기 티오펜메틸아세테이트에 염화철을 넣어 폴리티오펜메틸아세테이트를 형성하는 단계;상기 폴리티오펜메틸아세테이트에 수산화나트륨을 넣어 폴리티오펜소듐아세테이트를 형성하는 단계;상기 폴리티오펜소듐아세테이트에 염화수소를 넣어 폴리티오펜아세트산을 형성하는 단계; 및상기 폴리티오펜아세트산에 폴리에틸렌글리콜을 넣어 폴리(3-폴리에틸렌글리콜 티오펜)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리티오펜계 고분자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN111033835 CN 중국 FAMILY
2 EP03664199 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP32532070 JP 일본 FAMILY
4 WO2019066219 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN111033835 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP3664199 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 WO2019066219 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.