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인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 양측 기판에 소스/드레인 영역을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 영역 상에 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 차례로 적층하는 단계;열처리 공정을 진행하여 상기 소스/드레인 영역에 합금을 형성하고 동시에 상기 소스/드레인 영역 내의 산소를 게더링층과 결합시키는 단계; 및합금이 형성된 상기 소스/드레인 영역 상에 잔류하는 상기 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 게더링층은 GexSbyTez(GST; x,y,z는 자연수)층을 포함하는 모스펫 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 합금용 희생층은 니켈(Ni)층을 포함하는 모스펫 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 보호층은 티타늄질화(TiN)층을 포함하는 모스펫 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 공정은 급속 열처리 공정(Rapid Thermal Process)으로 진행하는 모스펫 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 공정은 250℃∼350℃의 온도에서 10초∼150초 동안 진행하는 모스펫 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소스/드레인 영역을 형성하는 단계는,이온주입 공정으로 진행하는 모스펫 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 차례로 적층하는 단계는,스퍼터링 공정으로 진행하는 모스펫 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 아르곤(Ar) 플라즈마를 이용하는 모스펫 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 잔류하는 상기 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 제거하는 단계는,습식 식각공정으로 진행하는 모스펫 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 습식 식각공정은 HCl과 H2O의 혼합용액을 이용하여 진행하는 모스펫 제조 방법
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