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투광형 CIGS계 박막 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019003328
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는 투명기판, 상기 투명기판의 표면에 배치되는 제1투명전극, 상기 제1투명전극 상에 위치한 금속확산층을 통해 도핑된 광흡수층, 상기 광흡수층 상에 위치한 버퍼층 및 상기 버퍼층 상에 위치하는 제2투명전극을 포함하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 제1투명전극 상에 광흡수층을 증착하기 전, 금속확산층을 우선 증착함으로써, 제1투명전극의 산소원소와 CIGS계 광흡수층의 Ga이 갈륨산화물 (GaOx)을 생성하는 것을 억제하여, CIGS계 박막 태양전지의 에너지 변환 효율을 높이는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020170127439 (2017.09.29)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1975522-0000 (2019.04.29)
공개번호/일자 10-2019-0037766 (2019.04.08) 문서열기
공고번호/일자 (20190507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.29)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조준식 대전 유성구
2 곽지혜 대전광역시 유성구
3 김기환 대전광역시 유성구
4 박주형 대전 유성구
5 안세진 대전광역시 유성구
6 안승규 대전 서구
7 어영주 대전광역시 유성구
8 유진수 대전광역시 중구
9 윤재호 대전 서구
10 조아라 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0960432-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0001127-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0465247-69
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0896710-48
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0895017-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0912690-99
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0912684-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
10 등록결정서
Decision to grant
2019.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0057412-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판 상에 제1투명전극을 형성하는 단계;상기 제1투명전극 상에 금속확산층을 형성하는 단계;상기 금속확산층 상에 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 CIGS계 광흡수층 상에 제2투명전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속확산층은 금속셀렌화물 또는 금속황화물을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 제1투명전극은 투명전도성산화물을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 금속확산층 상에 상기 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계에 있어서, 상기 CIGS계 광흡수층은 동시증발법을 수행하여 형성하고, 상기 동시증발법을 수행하는 중에 상기 금속확산층의 금속이 상기 형성되는 CIGS계 광흡수층에 도핑되는 것을 특징으로 하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 투명전도성산화물은 ITO, AZO, GZO, BZO, IZO, IGZO 및 InOX:H 중 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 X는 0보다 큰 실수인 것인 투광형 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 금속확산층은 상기 제1투명전극의 산소가 상기 CIGS계 광흡수층으로 확산되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층은 Cu-In-Ga-Se의 사원 화합물을 포함하여 형성하고, 상기 사원 화합물의 화학식 Cu(In1-xGax)Se2에서 0003c#x≤1인 것을 특징으로 하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금속확산층 상에 CIGS계 광흡수층을 형성하는 단계와 상기 CIGS계 광흡수층 상에 제2투명전극을 형성하는 단계 사이에,상기 CIGS계 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 버퍼층은 CdS, ZnS, ZnO, ZnOH, Zn1-xMgxO, ZnSe, ZnIn2Se4, InxSey 및 In2S3중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 x 및 y는 0보다 큰 실수인 것인 투광형 CIGS계 박막 태양전지의 제조방법
9 9
투명기판;상기 투명기판 상에 위치하는 제1투명전극;상기 제1투명전극 상에 위치하는 금속확산층;상기 금속확산층 상에 위치하는 CIGS계 광흡수층; 및상기 CIGS계 광흡수층 상에 위치하는 제2투명전극을 포함하고,상기 금속확산층은 금속셀렌화물 또는 금속황화물을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 제1투명전극은 투명전도성산화물을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 CIGS계 광흡수층은 상기 금속확산층 상에 동시증발법을 수행하여 형성되고, 상기 동시증발법을 수행하는 중에 상기 금속확산층의 금속이 상기 형성되는 CIGS계 광흡수층에 도핑된 것을 특징으로 하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지
10 10
제9항에 있어서,상기 투명기판은 유리, 투명 플라스틱 및 이들의 혼합물 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지
11 11
삭제
12 12
제9항에 있어서,상기 투명전도성산화물은 ITO, AZO, GZO, BZO, IZO, IGZO 및 InOX:H 중 선택되는 적어도 어느 하나 이상의 것을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 X는 0보다 큰 실수인 것인 투광형 CIGS계 박막 태양전지
13 13
제9항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층은 Cu-In-Ga-Se의 사원 화합물을 포함하고, 상기 사원 화합물의 화학식 Cu(In1-xGax)Se2에서 0≤x≤1인 것을 특징으로 하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지
14 14
삭제
15 15
제9항에 있어서,상기 금속확산층은 상기 제1투명전극의 산소가 상기 CIGS계 광흡수층으로 확산되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지
16 16
제9항에 있어서,상기 CIGS계 광흡수층과 상기 제2투명전극 사이에, 상기 CIGS계 광흡수층 상에 위치하는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 특징으로하는 투광형 CIGS계 박막 태양전지
17 17
제16항에 있어서,상기 버퍼층은 CdS, ZnS, ZnO, ZnOH, Zn1-xMgxO, ZnSe, ZnIn2Se4, InxSey 및 In2S3중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 x 및 y는 0보다 큰 실수인 것인 투광형 CIGS계 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)알파플러스 신재생에너지핵심기술개발 CIGS 박막태양전지 제조를 위한 하향식 증착용 선형소스개발
2 없음 한국에너지기술연구원 한국에너지기술연구원 주요사업 도시형 프로슈머타입 저가 고효율 차세대 태양전지 기술개발
3 산업통상자원부 (주)뉴파워프라즈마 전략적핵심소재기술개발 셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재개발