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반도체 제조공정에서 발생하는 폐 가스를 분해하고, 배기가스로부터 폐열을 회수하여 외부로 배출하는 반도체 제조공정의 폭발성 가스 처리장치로서,폐 가스가 유입되는 폐 가스 공급 부와, 산화제가 유입되는 산화제 공급 부와, 상기 폐 가스 공급 부를 흐르는 폐 가스를 가열하기 위한 제1 열교환 부와, 상기 산화제 공급 부를 흐르는 산화제를 가열하기 위한 제2 열교환 부를 구비하는 열교환 유닛;폐 가스를 연소하여 분해하기 위하여 상기 폐 가스 공급 부로부터 공급된 폐 가스와 상기 산화제 공급 부로부터 공급된 산화제가 혼입되는 연소 챔버;음전극과 양전극 사이에서 발생하는 전기적 아크로써 플라즈마를 형성시켜서 상기 연소 챔버 내의 폐 가스를 연소시키는 플라즈마 토치;상기 연소 챔버 내에서 연소되어 일차로 분해 처리된 배기가스를 재차 분해하기 위하여 내부에 축열재가 설치된 반응 챔버; 및상기 반응 챔버를 거친 배기가스를 배출하기 위하여 상기 반응 챔버와 상기 열교환 유닛을 연결하는 배기가스 배출관; 을 포함하되,상기 제1 열교환 부에서는 상기 배기가스 배출관을 통해서 배출되는 배기가스로부터 열을 회수하여 상기 폐 가스 공급 부의 폐 가스를 가열하며, 상기 제2 열교환 부에서는 상기 배기가스 배출관을 통해서 배출되는 배기가스로부터 열을 회수하여 상기 산화제 공급 부의 산화제를 가열하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 폭발성 폐 가스 처리장치
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반도체 제조공정에서 발생하는 폐 가스를 분해하고, 배기가스로부터 폐열을 회수하여 외부로 배출하는 반도체 제조공정의 폭발성 폐 가스 처리장치로서,폐 가스가 유입되는 폐 가스 챔버와, 산화제가 유입되는 산화제 챔버와, 상기 폐 가스 챔버 안에 설치되는 제1 열교환 부와, 상기 산화제 챔버 안에 설치되는 제2 열교환 부를 구비하는 열교환 유닛;폐 가스를 연소하여 분해하기 위하여 상기 폐 가스 챔버로부터 공급된 폐 가스와 상기 산화제 챔버로부터 공급된 산화제가 혼입되는 연소 챔버;음전극과 양전극 사이에서 발생하는 전기적 아크로써 플라즈마를 형성시켜서 상기 연소 챔버 내의 폐 가스를 연소시키는 플라즈마 토치;상기 연소 챔버 내에서 연소되어 일차로 분해 처리된 배기가스를 재차 분해하기 위하여 내부에 축열재가 설치된 반응 챔버; 및상기 반응 챔버를 거친 배기가스를 배출하기 위하여 상기 반응 챔버와 상기 열교환 유닛을 연결하는 배기가스 배출관; 을 포함하되,상기 제1 열교환 부에서는 상기 배기가스 배출관을 통해서 배출되는 배기가스로부터 폐열을 회수하여 상기 폐 가스 챔버의 폐 가스를 가열하며, 상기 제2 열교환 부에서는 상기 배기가스 배출관을 통해서 배출되는 배기가스로부터 폐열을 회수하여 상기 산화제 챔버의 산화제를 가열하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 폭발성 폐 가스 처리장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 산화제는 공기나 산소 중 적어도 어느 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 폭발성 폐 가스 처리장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 축열재는 세라믹 볼을 사용하며, 700℃ 이상에서 배기가스 체류시간 0
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제1항에 있어서,상기 열교환 유닛에서의 폐열 회수율(Y) = A 영역 폐열 회수율(Ya) + G 영역 폐열 회수율(Yg)이며, A 영역 폐열 회수율(Ya) = {(tf2-tf3)/(tf2-ta1)}*100%, G 영역 폐열 회수율(Yg) = {(tf1-tf2)/(tf1-tg1)}*100%인 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정의 폭발성 폐 가스 처리장치
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