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불연속 턴넬 전류의 점프를 제어할 수 있는 트랜지스터에 대해서, 턴넬 전류가 입력되는 인렛 단자와 연결된 5 x 1018 cm-3 이상의 도너 (혹은 엑셉터)를 갖는 반도체 인렛층과; 턴넬 전류 제어용 콘트롤 단자와 연결되대 1 x 1017 ~ 1 x 1019 cm-3의 엑셉터 (혹은 도너)를 가지면서 인렛층과 pn 접합된 반도체 콘트롤층과;턴넬 전류와 콘트롤 전류를 출력하는 아웃렛 단자와 연결되대 1 x 1017 cm-3 미만의 도너 혹은 엑셉터를 가지면서 콘트롤층과 연결된 반도체 아웃렛층으로 구성된 턴넬 트랜지스터
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제 1 항에서 반도체 인렛층과 콘트롤층에 있어서인렛층과 콘트롤층의 반도체 형(type)은 pn 접합을 형성하기 위해 서로 반대의 형을 갖는 것을 포함하는 턴넬 트랜지스터
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제 1 항에서 아웃렛층에 있어서아웃렛층의 반도체 형은 n형 혹은 p형을 구분하지 않고 어느 형이든 포함하는 턴넬 트랜지스터
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제 1 항에서 인렛 단자, 콘트롤 단자, 아웃렛 단자에 있어서인렛 단자, 콘트롤 단자, 아웃렛 단자들은 외부와 연결되도록 금속 전극과 연결되는 것을 포함하는 턴넬 트랜지스터
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제 1 항에서 아웃렛층에 있어서아웃렛 반도체 층을 지지하기 위해 아웃렛 반도체 층이 기판 위에 놓이는 것을 포함하는 턴넬 트랜지스터
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제 5 항에서 기판에 있어서기판은 Si 재료를 포함하는 턴넬 트랜지스터
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제 1 항에서 콘트롤 반도체 층에 있어서콘트롤 반도체 층에 절연물질층이 접합되는 것을 포함하는 턴넬 트랜지스터
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제 7 항에서 절연물질층에 있어서절연물질층은 콘트롤 반도체 층과 반대 쪽에 금속층과 접합되는 것을 포함하는 턴넬 트랜지스터
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