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열 경화성 수지, 경화제 및 촉매를 포함하는 조성물을 제조하는 단계; 및상기 조성물의 최대 가능 유리 전이 온도보다 낮은 공정 온도에서 상기 조성물에 마이크로파를 조사하여 경화수지를 형성하는 단계를 포함하는 저온 경화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 촉매는 3 이상의 유전 상수를 가지는 저온 경화 방법
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제 2 항에 있어서,상기 촉매는 1-메틸 이미다졸, 2-메틸 이미다졸, 디메틸벤질 이미다졸, 1-데실-2-메틸이미다졸, 벤질 디메틸 아민, 트리에틸 아민, 트리메틸 아민, 디에틸아미노프로필아민, 피리딘, 18-디아조바이사이클로[5,4,0]언덱-7-엔, 2-헵타데실이미다졸, 보론 트리플루오라이드 모노에틸아민, 1-(3(2-히드록시페닐)프로프-2-에닐)이미다졸 중 적어도 하나인 저온 경화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열 경화성 수지는 3 이상의 유전 상수를 가지는 저온 경화 방법
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제 4 항에 있어서,상기 열 경화성 수지는 에폭시, 할로겐-관능화된(halogen-functionalized) 에폭시, 페녹시, 비스말레이미드, 불포화된 폴리에스터, 우레탄, 우레아, 페놀-포름알데하이드, 가황 고무, 멜라민 수지, 폴리이미드, 에폭시 노볼락 수지, 시아네이트 에스터 중 적어도 하나인 저온 경화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 경화제는 3 이상의 유전 상수를 가지는 저온 경화 방법
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제 6 항에 있어서,상기 경화제는 지방족 아민, 방향족 아민, 지환식 아민, 펜알카민, 이미다졸, 카르복실산, 무수물, 말레산 무수물, 폴리아민-기반 경화제, 페놀성 경화제, 수인성 경화제 중 적어도 하나인 저온 경화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 공정 온도는 상기 조성물의 최대 가능 유리 전이 온도 보다 20~120℃ 낮은 저온 경화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 공정 온도는 50~250℃인 저온 경화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 조성물은 필러를 더 포함하되, 상기 필러는 실리카, Ba2SO4, 알루미나, 점토, 고령토, 활석, 망간이산화물, 아연산화물, CaCO3, TiO2, 운모, 규회석, 현무암, 주석, 은, 구리, 인듐, 비스무트(Bi), Sn/58Bi, Sn/3
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제 1 항에 있어서,상기 경화제는 10~150phr로 포함되고,상기 경화 촉매는 0
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제 1 항에 있어서,상기 경화수지의 유리 전이 온도는 상기 공정 온도보다 높은 저온 경화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 공정 온도는 일정하며,상기 마이크로파를 조사하는 단계는, 상기 공정 온도를 일정하게 유지하기 위하여 상기 마이크로파를 발생시키는 발생기의 파워를 조절하는 저온 경화 방법
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패키지 기판 상에 반도체 칩을 실장하는 단계;상기 반도체 칩과 상기 패키지 기판 사이에 제 1 열 경화성 조성물을 제공하는 단계;제 1 공정 온도에서 제 1 마이크로파를 조사하여 상기 제 1 열 경화성 조성물을 경화시켜 언더필을 형성하는 단계; 상기 반도체 칩과 상기 패키지 기판을 덮는 제 2 열 경화성 조성물을 제공하는 단계; 및 제 2 공정 온도에서 제 2 마이크로파를 조사하여 상기 제 2 열 경화성 조성물을 경화시켜 몰드막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 마이크로파는 가변 주파수를 가지는 마이크로파이고,상기 제 2 마이크로파는 가변 주파수 또는 고정 주파수를 마이크로파인 반도체 패키지의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제 1 열 경화성 조성물과 상기 제 2 열 경화성 조성물은 각각 열 경화성 수지, 경화제 및 촉매를 포함하되,상기 촉매는 3 이상의 유전상수를 가지는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 1 공정 온도는 상기 제 1 열 경화성 조성물에 포함되는 열 경화성 수지의 최대 가능 유리 전이 온도보다 낮고,상기 제 2 공정 온도는 상기 제 2 열 경화성 조성물에 포함되는 열 경화성 수지의 최대 가능 유리 전이 온도보다 낮은 반도체 패키지의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 언더필의 유리 전이 온도는 상기 제 1 공정 온도보다 높고,상기 몰드막의 유리 전이 온도는 상기 제 2 공정 온도보다 높은 반도체 패키지의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 열 경화성 수지와 상기 경화제 중 적어도 하나는 3이상의 유전상수를 가지는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 제 1 공정 온도와 상기 제 2 공정 온도는 각각 상기 조성물의 최대 가능 유리 전이 온도 보다 20~120℃ 낮은 반도체 패키지의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 반도체 칩의 일 면 상에 제 3 열 경화성 조성물을 제공하는 단계; 및제 3 공정 온도에서 제 3 마이크로파를 조사하여 상기 제 3 열 경화성 조성물을 경화시켜 재배선 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 제 3 마이크로파는 가변 주파수를 가지는 마이크로파인 반도체 패키지의 제조 방법
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