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플라즈마 방출 다이오드 소자

  • 기술번호 : KST2019003594
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 한 쌍의 전극에 교류형 고전압을 인가하여 대기압 유전장벽방전 방식으로 플라즈마를 발생하는 플라즈마 칩을 패키징 형태의 플라즈마 방출 다이오드 소자로 제공한다. 플라즈마 다이오드 소자는 다량의 라디칼, 전자, 그리고 음이온 및 양이온이 확산에 의하여 방출된다. 플라즈마 소자의 전극연결을 위한 커넥터 및 전원장치와 결합된 모듈의 형태로도 제공된다. 본 발명의 플라즈마 방출 다이오드(PED) 소자 및 모듈은 의료 및 바이오 장치들의 제작을 위한 플라즈마 소스로 사용된다.
Int. CL H05H 1/24 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01)
CPC H05H 1/2406(2013.01) H05H 1/2406(2013.01) H05H 1/2406(2013.01)
출원번호/일자 1020170132897 (2017.10.12)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0041374 (2019.04.22) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190141351;
심사청구여부/일자 Y (2017.10.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조 광섭 서울특별시 서초구
2 박 봉주 서울특별시 양천구
3 김 윤중 서울특별시 광진구
4 김 시찬 경기도 부천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주은희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** 선릉엘지에클라트 B-***(아이디어로특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-1006135-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0122323-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0865675-68
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0163135-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0163076-41
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0426305-06
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0718650-12
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.07.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0718648-19
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0573484-63
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2019.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2019-1141264-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유전층의 상하면에 설치된 제1전극과 제2전극을 구비한 플라즈마 방출 다이오드 칩; 및상기 칩을 패키징하기 위해 상판과 하판을 구비하여 상판과 하판 사이에 상기 칩이 배치되며, 플라즈마 방전 공간을 확보하도록 상판과 하판 사이에 스페이서가 구비된 패키징 모듈;을 포함하고,상기 제1전극과 제2전극은 유전층 상하에 대향되게 배치되며, 유전층 t1 하면에 형성된 제1전극;유전층 t1 위에 배치된 고리형 스페이서 t2;스페이서 t2 위에 배치된 고리형 유전체 t3; 및상기 고리형 유전체 t3의 중심 개구부의 위에 또는 위와 아래를 둘러싸듯 형성되는 폭 w의 고리형 제2전극;을 포함하여 이루어지고,상기 고리형 스페이서 t2의 개구부는 제2전극이 형성된 고리형 유전체 t3의 개구부보다 큰 면적으로 되고, 상기 제1전극과 제2전극에 전압이 인가되어 유전장벽방전 플라즈마가 발생되고 확산되어 상기 패키징 모듈의 가장자리에서 플라즈마 입자들이 방출되며, 상기 스페이서에 의해 확보되는 방전공간의 높이는 상기 칩의 두께보다 더 높게 설정되되, 상기 칩에 의해 발생 되는 플라즈마 방전 경로 중 인가된 방전전압이 최소가 되는 방전 경로를 포함할 수 있는 높이로 설정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방출 다이오드(Plasma Emitting Diode: PED) 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1전극과 제2전극의 전극 폭 w를 제어하여 이에 비례하는 플라즈마 방출 다이오드의 소비전력용량을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방출 다이오드(Plasma Emitting Diode: PED) 소자
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제1항의 플라즈마 방출 다이오드 소자에 전기접속을 위하여 연결되는 커넥터로서, 상기 커넥터는 상기 제1전극과 상기 제2전극에 각각 접속되는 두 개의 전극단자를 구비한 플러그를 포함하여 상기 플라즈마 방출 다이오드 소자에 대한 전력을 공급하게 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 방출 다이오드용 커넥터
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제4항의 커넥터에 의해 접속되는 전원장치로서,입력 전원은 DC-전압, 60 Hz 및 110/220 V인 일반 가정용 교류 전원을 사용하면서 교류 고전압 출력을 상기 전극에 인가할 수 있도록 DC-AC 인버터, 펄스형 DC-컨버터, 또는 압전 트랜스포머 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 방출 다이오드용 전원장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.