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블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스에 있어서,소정 패턴 구조의 제 1 강자성층(ferromagnetic layer)과,상기 제 1 강자성층 상에 형성된 비자성층(non-magnetic layer)과,상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층을 매립하는 형태로 수평하게 형성되어 상기 비자성층의 상부를 노출시키는 제 1 반강자성층(antiferromagnetic layer)과,상기 비자성층과 상기 제 1 반강자성층 상에 형성된 제 2 강자성층과,상기 제 2 강자성층 상에 형성된 제 2 반강자성층을 포함하고,상기 메모리 디바이스는,상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층의 상부가 제 1 영역으로 구획되고, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 상부가 제 2 영역으로 구획되는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 강자성층은,자성체의 자화 방향이 고정되어 있는 고정층(fixed layer)이고,상기 제 2 강자성층은,외부 자극에 의해 자성체의 자화 방향이 변화되는 자유층(free layer)이며, 자기 구조체인 블로흐 포인트(Bloch point)를 포함하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 반강자성층은,상기 제 2 강자성층의 표면 자화가 상기 외부 자극에 의해 변화되는 것을 방지하도록 기능하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 블로흐 포인트는,상기 제 1 영역에 임계세기 이상의 전류가 수직 방향으로 인가될 때 형성되는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 블로흐 포인트는 외부 전류에 의하여 움직이며,임계세기 이상의 상기 외부 전류가 수직 방향으로 인가될 때 상기 제 2 영역에 있는 블로흐 포인트가 상기 제 1 영역으로 이동하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 2 항에 있어서,상기 블로흐 포인트의 이동은,상기 제 1 영역 내에 있는 상기 자유층의 자화 방향의 반전을 일으키는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 6 항에 있어서,상기 자유층의 자화 방향은,상기 제 1 영역 내에 있는 상기 자유층의 박막의 상단 위쪽 자화 방향이 상단 아래쪽 자화 방향으로 반전되거나 또는 상기 제 1 영역 내에 있는 상기 자유층의 박막의 상단 아래쪽 자화 방향이 상단 위쪽 자화 방향으로 반전되는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 7 항에 있어서,상기 자유층의 자화 방향의 반전은,상기 고정층의 자화 방향과 상기 자유층의 자화 방향이 같을 때 저항이 상대적으로 낮고, 상기 고정층의 자화 방향과 상기 자유층의 자화 방향이 다를 때 저항이 상대적으로 높아지는 거대 자기저항(GMR: Giant magneto-resistance) 또는 터널링 자기저항(TMR: Tunneling magneto-resistance)을 이용하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 강자성층은,코발트, 코발트-철-보론 합금, 코발트-철 합금 중 어느 하나인블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 비자성층은,비자성 금속 또는 절연체 중 어느 하나인블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 11 항에 있어서,상기 비자성층은,구리 또는 크롬인블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 강자성층은,니켈-철 합금, 코발트, 니켈, 철 중 어느 하나인블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 반강자성층 각각은,이리듐-망간 합금, 코발트-산화니켈 합금, 망간-플레티넘 합금, 페로망간, 산화코발트 중 어느 하나인블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 강자성층과 비자성층은,소정 간격만큼 이격된 두 개의 적층 구조체로 형성되며, 하나의 적층 구조체는 정보의 기록소자로 기능하고, 다른 하나의 적층 구조체는 정보의 판독소자로 기능하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 강자성층과 비자성층은,하나의 적층 구조체로 형성되어 정보의 기록소자 또는 정보의 판독소자로 기능하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 소정 패턴 구조는,원형, 사각형, 다각형 중 어느 하나인블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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베이스 상에 소정 패턴 구조의 제 1 강자성층을 형성하는 단계와,상기 제 1 강자성층 상에 비자성층을 형성하는 단계와,상기 제 1 강자성층과 상기 비자성층을 매립하는 형태로 수평하게 형성되며, 상기 비자성층의 상부를 노출시키는 제 1 반강자성층을 형성하는 단계와,상기 비자성층과 상기 제 1 반강자성층 상에 제 2 강자성층을 형성하는 단계와,상기 제 2 강자성층 상에 제 2 반강자성층을 형성하는 단계를 포함하는 블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스의 제조 방법
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제 21 항에 있어서,상기 제 1 강자성층은,자성체의 자화 방향이 고정되어 있는 고정층(fixed layer)이고,상기 제 2 강자성층은,외부 자극에 의해 자성체의 자화 방향이 변화되는 자유층(free layer)이며, 자기 구조체인 블로흐 포인트(Bloch point)를 포함하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스의 제조 방법
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제 21 항에 있어서,상기 제 1 강자성층과 비자성층은,소정 간격만큼 이격된 두 개의 적층 구조체로 형성되며, 하나의 적층 구조체는 정보의 기록소자로 기능하고, 다른 하나의 적층 구조체는 정보의 판독소자로 기능하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스의 제조 방법
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제 21 항에 있어서,상기 제 1 강자성층과 비자성층은,하나의 적층 구조체로 형성되어 정보의 기록소자 또는 정보의 판독소자로 기능하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스의 제조 방법
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블로흐 포인트를 이용한 메모리 디바이스에 있어서,제 1 반강자성층(antiferromagnetic layer)과,상기 제 1 반강자성층 상에 형성된 제 1 강자성층(ferromagnetic layer)과,상기 제 1 강자성층 상에 형성된 소정 패턴 구조의 비자성층(non-magnetic layer)과,상기 비자성층 상에 형성된 제 2 강자성층과,상기 비자성층과 상기 제 2 강자성층을 매립하는 형태로 수평하게 형성되어 상기 제 2 강자성층의 상부를 노출시키는 제 2 반강자성층을 포함하고,상기 메모리 디바이스는,상기 비자성층과 제 2 강자성층의 하부가 제 1 영역으로 구획되고, 상기 제 1 영역을 제외한 나머지 하부가 제 2 영역으로 구획되는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 25 항에 있어서,상기 제 1 강자성층과 비자성층은,소정 간격만큼 이격된 두 개의 적층 구조체로 형성되며, 하나의 적층 구조체는 정보의 기록소자로 기능하고, 다른 하나의 적층 구조체는 정보의 판독소자로 기능하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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제 25 항에 있어서,상기 제 1 강자성층과 비자성층은,하나의 적층 구조체로 형성되어 정보의 기록소자 또는 정보의 판독소자로 기능하는블로흐 포인트 구조체를 이용한 메모리 디바이스
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