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(A) 셀레늄화 대상 박막에 대해 셀레늄화 처리하는 단계를 포함하는 CIGSSe 박막의 제조방법으로서, 상기 셀레늄화 대상 박막은 CIG 박막 또는 CIGS 박막이고, 상기 셀레늄화 처리는 최소 2곳 이상의 셀레늄 공급원으로부터 셀레늄이 공급됨으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 2곳 이상의 셀레늄 공급원에서의 셀레늄 공급은 상기 2곳 이상의 셀레늄 공급원에서 서로 다른 온도 프로파일에 따라 각각의 셀레늄 공급 시편을 승온함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 셀레늄화 처리는 셀레늄화용 튜브형 반응로 내에 상기 셀레늄화 대상 박막을 두고, 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 상기 튜브형 반응로의 길이 방향으로 서로 다른 거리의 위치에 복수 개의 셀레늄 공급 시편을 위치시킨 후, 각각의 셀레늄을 서로 다른 온도 프로파일에 따라 승온함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 셀레늄화 처리는 셀레늄화용 튜브 내에 상기 셀레늄화 대상 박막을 두고, 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 상대적으로 가까운 곳에 위치한 제1 셀레늄 공급점과 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 상대적으로 먼 곳에 위치한 제2 셀레늄 공급점에 각각 제1 셀레늄 공급 시편과 제2 셀레늄 공급 시편을 위치시킨 후, 상기 제1 셀레늄 공급 시편은 상기 셀레늄화 대상 박막과 같이 열처리함으로써 승온시키고, 상기 제2 셀레늄 공급 시편은 상기 열처리 개시 후 일정 시간 후부터 승온시키는 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 셀레늄 공급의 시간적 구간은 상기 제1 셀레늄 공급점만을 통한 셀레늄 공급 구간, 상기 제1 셀레늄 공급점과 상기 제2 셀레늄 공급점 모두를 통한 셀레늄 공급 구간, 상기 제2 셀레늄 공급점만을 통한 셀레늄 공급 구간으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGSSE 박막의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제1 셀레늄 공급점은 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 1~20cm의 거리에 있고, 상기 제2 셀레늄 공급점은 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 10~100cm의 거리에 있으며, 상기 제1 셀레늄 공급점과 상기 제2 셀레늄 공급점 사이의 거리는 10~50cm인 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 셀레늄화 대상 박막은 CIG 박막이고, 상기 셀레늄화 처리는 상기 CIG 박막의 황화 처리와 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 황화 처리와 동시에 수행되는 상기 셀레늄화 처리는 황화수소와 캐리어 기체의 혼합기체 분위기에서 상기 셀레늄화 처리를 수행함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 셀레늄화 처리는 셀레늄화용 튜브 내에 상기 셀레늄화 대상 박막을 두고, 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 서로 다른 거리에 있는 제1 셀레늄 공급점과 제2 셀레늄 공급점에 각각 제1 셀레늄 공급 시편과 제2 셀레늄 공급 시편을 위치시킨 후, 각각의 셀레늄을 서로 다른 온도 프로파일에 따라 승온함으로써 이루어지며, 상기 제1 셀레늄 공급점을 통한 셀레늄 잔존량이 감소하여 초기에 공급된 양의 5~99% 되는 시점에 상기 제1 셀레늄 공급점을 통한 단위시간 당 셀레늄 공급량보다 상기 제2 셀레늄 공급점을 통한 단위시간 당 셀레늄 공급량이 더 크게 되는 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 셀레늄화 처리는 셀레늄화용 튜브 내에 상기 셀레늄화 대상 박막을 두고, 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 서로 다른 거리에 있는 제1 셀레늄 공급점과 제2 셀레늄 공급점에 각각 제1 셀레늄 공급 시편과 제2 셀레늄 공급 시편을 위치시킨 후, 각각의 셀레늄을 서로 다른 온도 프로파일에 따라 승온함으로써 이루어지며, 상기 제1 셀레늄 공급 시편은 10~20℃의 속도로 400~440℃까지 승온하고 나서 450~490℃까지 3~7℃/분의 속도로 승온한 후 일정하게 온도를 유지하고, 상기 제2 셀레늄 공급 시편은 상기 제1 셀레늄 공급 시편이 420℃에 도달하기 8~12분 전 시점에 10~20℃의 속도로 약 480~570℃까지 승온하는 것을 특징으로 CIGSSe 박막의 제조방법
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제10항에 있어서, (i) 상기 제1 셀레늄 공급점을 통한 셀레늄 공급 개시 또는 상기 셀레늄화 대상 박막의 열처리 개시로부터 10~20분 후에 상기 제2 셀레늄 공급점을 통한 셀레늄 공급을 개시하고, (ii) 상기 제1 셀레늄 공급점은 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 5~10cm의 거리에 있고, 상기 제2 셀레늄 공급점은 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 15~30cm의 거리에 있으며, 상기 제1 셀레늄 공급점과 상기 제2 셀레늄 공급점 사이의 거리는 7~20cm이고, (iii) 상기 셀레늄화 대상 박막은 CIG 박막이고, 상기 셀레늄화 처리는 상기 CIG 박막의 황화수소와 질소의 혼합가스를 통한 황화 처리와 동시에 수행되며, (iv) 상기 제1 셀레늄 공급점을 통한 셀레늄 잔존량이 감소하여 초기에 공급된 양의 80~95%가 되는 시점에 상기 제1 셀레늄 공급점을 통한 단위시간 당 셀레늄 공급량보다 상기 제2 셀레늄 공급점을 통한 단위시간 당 셀레늄 공급량이 더 크게 되도록 제2 셀레늄 공급점을 통한 셀레늄을 공급하며, (v) 상기 제1 셀레늄 공급 시편은 10~20℃의 속도로 400~440℃까지 승온하고 나서 450~490℃까지 3~7℃/분의 속도로 승온한 후 일정하게 온도를 유지하고, 상기 제2 셀레늄 공급 시편은 상기 제1 셀레늄 공급 시편이 420℃에 도달하기 8~12분 전 시점에 10~20℃의 속도로 약 480~570℃까지 승온하는 것을 특징으로 하는 CIGSSe 박막의 제조방법
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CIG 박막 또는 CIGS 박막 중에서 선택된 셀레늄화 대상 박막에 셀레늄화함에 있어서, 셀레늄 공급점과 상기 셀레늄화 대상 박막이 이루는 각도를 조절함으로써 상기 셀레늄화 대상 박막의 셀레늄화 조절방법
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제12항에 있어서, 상기 셀레늄화 처리는 셀레늄화용 튜브 내에 상기 셀레늄화 대상 박막을 두고, 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 상대적으로 가까운 곳에 위치한 제1 셀레늄 공급점과 상기 셀레늄화 대상 박막으로부터 상대적으로 먼 곳에 위치한 제2 셀레늄 공급점에 각각 제1 셀레늄 공급 시편과 제2 셀레늄 공급 시편을 위치시킨 후, 상기 제1 셀레늄 공급 시편과 상기 셀레늄 공급 시편을 서로 다른 온도 프로파일로 승온시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 셀레늄화 조절방법
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