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질화 붕소 나노 물질을 포함하는 한외 여과막으로서, 질화 붕소 나노 물질 표면층; 및 상기 표면층 하부의 세라믹 다공성 지지체를 포함하는 한외 여과막이고,상기 한외 여과막은 가열 소결하여 재생 가능한 것이며, 상기 질화 붕소 나노 튜브의 면적 밀도는 1 ~ 3
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제 1 항에 있어서,상기 질화 붕소 나노 물질은 질화 붕소 나노튜브인 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막
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제 2 항에 있어서, 상기 질화 붕소 나노튜브는 단일벽, 이중벽, 다중벽, 다발형, 로프형, 대나무형 질화 붕소 나노튜브로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막
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제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항의 질화 붕소 나노 물질 한외 여과막 제조 방법으로서,질화 붕소 나노 물질 분산액을 제조하는 단계; 및 상기 질화 붕소 나노 물질 분산액을 다공성 지지체에 침지하여 한외여과막을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 질화 붕소 나노 물질은 질화 붕소 나노튜브인 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 질화 붕소 나노튜브는 단일벽, 이중벽, 다중벽, 다발형, 로프형, 대나무형 질화 붕소 나노튜브로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 다발 형태의 질화 붕소 나노튜브를 박리하여 분산액에 분산시키는 것이고, 상기 박리된 질화 붕소 나노튜브는 단일 질화 붕소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 질화 붕소 나노튜브는 지름이 5~50nm인 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 질화 붕소 나노 물질의 분산액은 질화 붕소 나노 물질을 유기 용매에 분산한 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 유기 용매는 아민류, 물, 알코올, 아세톤, 다이메틸포름아마이드, 다이메틸설폭사이드, 테트라하이드로퓨란, 다이메틸에테르, 톨루엔, 다이클로로메탄으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 질화 붕소 나노 물질의 분산액은 폴리 4-바이닐피리딘(poly(4-vinylpyridine)), 폴리바이닐피로리돈(polyvinylpyrrolidone) 및 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol)로 이루어진 분산제에서 선택되는 하나 이상의 분산제를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 질화 붕소 나노 물질 분산액은 분산제로서 4-바이닐피리딘(poly(4-vinylpyridine)) 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 질화 붕소 나노 물질 침지는 세라믹 다공성 지지체에 질화 붕소 나노 물질 분산액을 여과하여 수행되는 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 다공성 지지체는 유리 섬유로 이루어진 여과막인 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 중 질화 붕소 나노 물질의 면적 밀도를 조절하여 상기 질화 붕소 나노 물질 한외여과막의 기공 크기 또는 나노 입자 여과효율을 조절하는 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 유기 용매 및 질화붕소 나노 물질 중 질화 붕소 나노 물질의 함량은 0wt% 초과 4wt% 미만인 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막 제조 방법
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제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 한항의 한외여과막을 이용하여 유기 오염물을 포함하는 용액 여과를 수행하는 단계;상기 용액 여과 후 한외여과막을 가열 소결하여 유기 오염물을 제거함으로써 상기 한외여과막을 재생하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막의 재생 방법
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제 18 항에 있어서, 상기 재생 과정에서 가열 소결은 300~450℃의 범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화 붕소 나노 물질 한외여과막의 재생 방법
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