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일면에 다수의 돌기가 서로 이격되어 요철(凹凸)이 형성된 기판;상기 기판의 일면에 배치되되, 단면이 상기 돌기의 자유단을 감싸면서 단차를 두고 측방으로 절곡 연장된 지그재그 형태의 요철(凹凸) 구조로 형성되는 시드층; 및상기 시드층 중 상기 돌기를 감싸는 철부(凸部)의 외면으로부터 성장된 반도체층;을 포함하고,상기 시드층은, 상기 시드층의 철부가 상기 기판의 철부와 이격없이 접촉되고, 상기 시드층의 요부가 상기 기판의 요부와 이격되어, 식각용액이 주입되는 공동(void)를 형성하는 반도체 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 공동은, 상기 기판의 요부를 따라서 서로 연결된 반도체 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 돌기는, 상기 자유단 방향으로 갈수록, 상기 자유단 방향에 대해 수직한 단면의 폭이 점점 작아지도록 형성되는 반도체 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 돌기는,상기 기판으로부터 돌출 연장된 기저부; 및상기 기저부 상에 적층된 질화물계 박막부;를 포함하는 반도체 구조체
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청구항 1에 있어서,상기 시드층의 철부는 단결정화되고,상기 공동을 형성하는 상기 시드층의 요부는 다결정화된 반도체 구조체
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6
청구항 1에 있어서,상기 반도체층은, 질화물계 반도체 물질을 포함하는 반도체 구조체
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7
(a) 기판의 일면에 다수의 돌기가 이격되어 요철(凹凸)이 형성되도록, 상기 기판을 식각하는 단계;(b) 상기 돌기를 커버하면서, 상기 기판의 일면에 희생층을 형성하는 단계;(c) 상기 돌기의 자유단이 노출되되, 상기 기판의 요부(凹部) 내에 상기 희생층이 잔존하도록, 상기 희생층을 식각하는 단계;(d) 단면이 상기 돌기의 자유단을 감싸면서 단차를 두고 측방으로 절곡 연장되어 상기 희생층의 외면에 배치되는 지그재그 형태의 요철(凹凸) 구조로 시드층을 형성하는 단계;(e) 상기 기판의 요부에 공동(void)이 형성되도록, 상기 희생층을 제거하는 단계; 및(f) 상기 시드층의 외면 중 상기 돌기를 감싸는 철부(凸部)로부터 반도체층을 성장시키는 단계;를 포함하는 반도체 구조체 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 기판의 일면에, 상기 돌기에 대응되는 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 기판의 일면을 식각하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 구조체 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (a) 단계는,상기 기판의 일면에 질화물계 박막을 형성하는 단계;상기 질화물계 박막 상에, 상기 돌기에 대응되는 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 기판의 일면을 식각하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 반도체 구조체 제조방법
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10
청구항 7에 있어서,상기 (e) 단계는, 열처리하여, 상기 희생층을 제거하고, 상기 시드층의 철부를 단결정화시키며, 상기 공동을 형성하는 상기 시드층의 요부를 다결정화시키는 반도체 구조체 제조방법
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