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나노패턴을 포함하는 금형 제조방법에 있어서,제1감광제 패턴을 형성하는 단계와;상기 제1감광제 패턴을 열처리하여 리플로우(reflow)시키는 단계와;상기 제1감광제 패턴을 통해 제1위상전이마스크를 형성하는 단계와;상기 제1위상전이마스크를 이용하여 제2감광제 패턴을 형성하는 단계와;감광제 패턴 리플로우 단계, 위상전이마스크 형성 단계 및 감광제 패턴 형성 단계를 반복하는 단계와;상기 감광제 패턴에 금속도금층을 성장시켜 나노금형을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1감광제 패턴을 형성하는 단계는,크롬 마스크를 준비하는 단계와;상기 크롬마스크를 감광제의 상부에 적층하고, 상기 감광제 방향으로 자외선(UV)을 조사하여 상기 제1감광제 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 크롬마스크는,투명한 기판에 크롬 소재로 2㎛ 이상 선폭의 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1감광제 패턴을 열처리하여 리플로우시키는 단계는,상기 제1감광제 패턴이 리플로우되면서 반구형상(hemisphere)으로 기판에 퍼지게 되어, 높이는 낮아지는 반면 선폭은 넓어지는 형상으로 용융되는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1감광제 패턴을 열처리하여 리플로우시키는 단계는,상기 제1감광제 패턴이 형성된 기판을 열판 위에 올려놓고, 130 내지 180℃의 온도로 1 내지 10분 열처리하여 상기 제1감광제 패턴을 리플로우시키는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1감광제 패턴을 통해 제1위상전이마스크를 형성하는 단계는,상기 제1감광제 패턴의 상부에 투명한 액상의 고분자를 도포한 후 열경화하고, 상기 제1감광제 패턴이 형성된 기판으로부터 상기 고분자를 분리하여 상기 제1감광제 패턴에 의해 반구형상으로 함몰된 패턴을 가지는 제1위상전이마스크를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 고분자는,PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 PU(polyurethane)인 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 제1위상전이마스크를 이용하여 제2감광제 패턴을 형성하는 단계는,상기 제1위상전이마스크에 자외선(UV)을 조사하여 상기 제1위상전이마스크에 형성된 패턴 중 양각으로 돌출된 패턴 부분과 음각으로 함몰된 패턴이 만나는 에지(edge) 부분에서 자외선의 강도가 낮아져 상기 제2감광제 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 감광제 패턴 리플로우 단계, 위상전이마스크 형성 단계 및 감광제 패턴 형성 단계를 반복하는 단계는, 한 번 이상으로 반복되는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 감광제 패턴에 금속도금층을 성장시켜 나노금형을 형성하는 단계는,전기도금 공정을 이용하여 니켈(Ni) 또는 니켈합금(Ni alloy)으로 이루어진 금속도금층을 성장시킨 후, 상기 감광제 패턴 및 기판을 금속도금층으로부터 분리하여 상기 나노금형을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노패턴을 포함하는 금형 제조방법
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