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박막 형성 방법 및 이에 의한 금속 산화 박막

  • 기술번호 : KST2019003873
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 원자층 증착법을 이용한 박막 형성 방법 및 금속 산화 박막이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 의한 원자층 증착법을 이용한 박막 형성 방법은, 반응챔버에 전구체를 도입하는 단계, 반응챔버를 불활성 가스로 1차 퍼징하는 단계, 반응챔버에 란탄(La)을 포함하는 산화제를 도입하는 단계, 및 반응챔버를 불활성 가스로 2차 퍼징하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자 1020170135345 (2017.10.18)
출원인 한국표준과학연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0043365 (2019.04.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤주영 서울특별시 양천구
2 김진태 대전광역시 유성구
3 안종기 대전광역시 대덕구
4 강고루 경기도 고양시 덕양구
5 박인성 서울특별시 강남구
6 오남근 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대전 유성구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1027793-67
2 공지예외적용주장 증명서류 제출기한 안내문
2017.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0150771-85
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2017.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-1048010-84
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0154688-42
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0173773-82
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0469211-18
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0469213-09
12 등록결정서
Decision to grant
2019.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0452477-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응챔버에 전구체를 도입하는 단계;상기 반응챔버를 불활성 가스로 1차 퍼징하는 단계;상기 반응챔버에 란탄(La)을 포함하는 산화제를 도입하는 단계; 및상기 반응챔버를 불활성 가스로 2차 퍼징하는 단계를 포함하며,상기 산화제는 La(NO3)3·6H2O이고,상기 La(NO3)3·6H2O의 농도는 10 내지 40wt%인 박막 형성 방법
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3 3
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4 4
제 1 항에 있어서,상기 전구체는 Al, Si, Ti, Hf, Ga, In, Y, La, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Fe, Ru, Ni, Zn, Cd, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi, Ba, Sr, Se 및 Te에서 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것인 박막 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 전구체는 CpZr[N(CH3)2]3인 박막 형성 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 1차 퍼징하는 단계 및 2차 퍼징하는 단계에서,상기 불활성 가스는 아르곤(Ar) 가스인 박막 형성 방법
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8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국표준과학연구원 한국표준과학연구원연구운영비지원 차세대 초박막 공정용 측정기술 개발
2 미래창조과학부 한국표준과학연구원 국가과학기술연구회연구운영비지원 미래 나노급 반도체 및 대면적 OLED를 위한 증착소재개발의 한계돌파를 위한 복합물성 측정 장비개발