| 1 |
1
기판 상에 순차적으로 형성된 제1전극, 전자 수송층, 광 흡수층, 이중 정공 수송층 및 제2전극을 포함하고,상기 이중 정공 수송층은 PEDOT:PSS를 포함하는 제1정공 수송층; 및 할로겐 함유 작용기를 갖는 환원된 산화 그래핀을 포함하는 제2정공 수송층;이 순차적으로 형성된 것인 페로브스카이트 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 할로겐 함유 작용기는 플루오린 함유 작용기인 페로브스카이트 태양전지
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 할로겐 함유 작용기는 4-(트리플루오로메틸)-페닐하이드라진, 2,3,5,6-(테트라플루오로)-페닐하이드라진, (4-플루오로페닐)티오우레아, (2,5-디플루오로페닐) 티오우레아, (3-플루오로페닐)티오우레아 중 1종 이상의 화합물로부터 유래되는 것인 페로브스카이트 태양전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제2정공 수송층은 할로겐 함유 작용기를 갖는 환원된 산화 그래핀 및 분산매를 포함하는 분산액의 건조물이고,상기 분산매는 탄소수 1 내지 10의 알코올을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판, 유리 기판, 석영 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 및 갈륨 비소 기판 중 1종 이상을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 제1전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 알루미늄 징크 옥사이드(AZO), 니오븀 티타늄 옥사이드(NTO), 징크 틴 옥사이드(ZTO) 및 인듐 징크 틴 옥사이드(IZTO) 중 1종 이상을 포함하는 투명 전극인 페로브스카이트 태양전지
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 전자 수송층은 제1전자 수송층 및 제2전자 수송층을 포함하는 다층 구조이고,상기 제1전자 수송층은 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 스트론튬(Sr), 징크(Zn), 인듐(In), 란타넘(La), 바나듐(V), 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 틴(Sn), 나이오븀(Nb), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 사마륨(Sm), 갈륨(Ga), 플루오린(F), 스트론튬타이타늄(SrTi) 및 이들의 산화물 중 1종 이상을 포함하고,상기 제2전자 수송층은 플러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제2전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중 1종 이상을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 광 흡수층은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지
|
| 10 |
10
기판에 제1전극, 전자 수송층, 광 흡수층을 순차적으로 형성시키고,상기 광 흡수층 상부에 PEDOT:PSS를 포함하는 제1정공 수송층을 형성한 후, 상기 제1정공 수송층 상부에 할로겐 함유 작용기를 갖는 환원된 산화 그래핀 및 분산매를 포함하는 분산액을 코팅하여 제2정공 수송층을 형성하여 이중 정공 수송층을 형성하고,상기 이중 정공 수송층 상에 제2전극을 형성하는 것을 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 할로겐 함유 작용기는 플루오린 함유 작용기이고, 상기 플루오린 함유 작용기는 4-(트리플루오로메틸)-페닐하이드라진, 2,3,5,6-(테트라플루오로)-페닐하이드라진, (4-플루오로페닐)티오우레아, (2,5-디플루오로페닐) 티오우레아, (3-플루오로페닐)티오우레아 중 1종 이상의 화합물로부터 유래되는 것인 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 분산매는 탄소수 1 내지 10의 알코올을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 분산액의 고형물 농도는 1 mg/ml 내지 10 mg/ml인 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 14 |
14
제10항에 있어서, 상기 분산액의 코팅은 1 rpm 내지 9000 rpm으로 스핀 코팅되는 것인 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 15 |
15
제10항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판, 유리 기판, 석영 기판, 실리콘 기판, 금속 기판 및 갈륨 비소 기판 중 1종 이상을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 16 |
16
제10항에 있어서, 상기 제1전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 알루미늄 징크 옥사이드(AZO), 니오븀 티타늄 옥사이드(NTO), 징크 틴 옥사이드(ZTO) 및 인듐 징크 틴 옥사이드(IZTO) 중 1종 이상을 포함하는 투명 전극인 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 17 |
17
제10항에 있어서, 상기 전자 수송층은 제1전자 수송층 및 제2전자 수송층을 포함하는 다층 구조이고, 상기 제1전자 수송층은 타이타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 스트론튬(Sr), 징크(Zn), 인듐(In), 란타넘(La), 바나듐(V), 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 틴(Sn), 나이오븀(Nb), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 사마륨(Sm), 갈륨(Ga), 플루오린(F), 스트론튬타이타늄(SrTi) 및 이들의 산화물 중 1종 이상을 포함하고,상기 제2전자 수송층은 플러렌 유도체를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 18 |
18
제1항에 있어서, 상기 제2전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중 1종 이상을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
| 19 |
19
제1항에 있어서, 상기 광 흡수층은 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 화합물을 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지 제조 방법
|
