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기판, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 적층된 마이크로 발광소자에 구비되는 반사전극으로서,상기 p형 반도체층의 위에 형성되는 투명 전극층;상기 투명 전극층의 위에, 상기 활성층으로부터 발광되어 상기 투명 전극층을 통해 유입되는 빛을 반사하는 절연체로 형성되고, 그 내부에는 상기 투명 전극층과 p형 전극층을 연결하는 전도성 필라멘트가 포함된 반사층; 및상기 반사층의 위에 형성되고, 상기 반사층의 전도성 필라멘트를 통해 상기 투명 전극층에 전기적으로 연결되는 p형 전극층;을 포함하고,상기 반사층은,서로 다른 저항 변화 물질을 교대로 반복하여 적층시킨 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector, DBR)이며,상기 p형 전극층과 상기 반사층은,서로 동일한 폭을 갖도록 증착되거나 패터닝되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자용 반사전극
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제 1항에 있어서,상기 반사층의 전도성 필라멘트는,상기 투명 전극층, 상기 반사층 및 상기 p형 전극층이 순차적으로 적층된 이후에, 상기 투명 전극층과 상기 p형 전극층을 통해 인가되는 전계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자용 반사전극
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제 1항에 있어서,상기 반사층을 형성하는 저항 변화 물질은,산화알루미늄(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 산화하프늄(HfO2), 이산화 타이타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 삼산화텅스텐(WO3), 산화몰리브덴(MoO3), 산화니켈(NiO), Mn-doped tin oxide(MTO), Zn doped tin oxide(ZTO), Ga doped ZnO(GZO), SnxOy, ZrxOy, CoxOy, CrxOy, VxOy, NbxOy ZnMgBeO, MgxOy, MgxNy, TixNy, InxNy, GaxNy, GaxOy, boron nitride(BN), NixNy, SixNy, Al doped ZnO(AZO), MgxZnyOx 및 CuxOy 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자용 반사전극
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제 1항에 있어서,상기 p형 전극층은,크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중에서 적어도 두 개 이상의 물질이 순차적으로 적층된 복수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자용 반사전극
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기판 위에 적층되는 n형 반도체층;상기 n형 반도체층의 위에 적층되는 활성층;상기 활성층의 위에 적층되는 p형 반도체층;상기 p형 반도체층의 위에 형성되는 투명 전극층;상기 투명 전극층의 위에, 상기 활성층으로부터 발광되어 상기 투명 전극층을 통해 유입되는 빛을 반사하는 절연체로 형성되고, 그 내부에는 상기 투명 전극층과 p형 전극층을 연결하는 전도성 필라멘트가 포함된 반사층; 및상기 반사층의 위에 형성되고, 상기 반사층의 전도성 필라멘트를 통해 상기 투명 전극층에 전기적으로 연결되는 p형 전극층;을 포함하고,상기 반사층은,서로 다른 저항 변화 물질을 교대로 반복하여 적층시킨 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector, DBR)이며,상기 p형 전극층과 상기 반사층은,서로 동일한 폭을 갖도록 증착되거나 패터닝되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자
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제 6항에 있어서,상기 반사층의 전도성 필라멘트는,상기 투명 전극층, 상기 반사층 및 상기 p형 전극층이 순차적으로 적층된 이후에, 상기 투명 전극층과 상기 p형 전극층을 통해 인가되는 전계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자
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제 6항에 있어서,상기 반사층을 형성하는 저항 변화 물질은,산화알루미늄(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 산화하프늄(HfO2), 이산화 타이타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 삼산화텅스텐(WO3), 산화몰리브덴(MoO3), 산화니켈(NiO), Mn-doped tin oxide(MTO), Zn doped tin oxide(ZTO), Ga doped ZnO(GZO), SnxOy, ZrxOy, CoxOy, CrxOy, VxOy, NbxOy ZnMgBeO, MgxOy, MgxNy, TixNy, InxNy, GaxNy, GaxOy, boron nitride(BN), NixNy, SixNy, Al doped ZnO(AZO), MgxZnyOx 및 CuxOy 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자
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제 6항에 있어서,상기 p형 전극층은,크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중에서 적어도 두 개 이상의 물질이 순차적으로 적층된 복수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자
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기판, n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차적으로 적층된 마이크로 발광소자에 구비되는 반사전극의 제조방법으로서,(1) 상기 p형 반도체층의 위에 투명 전극층을 형성하는 단계;(2) 상기 활성층으로부터 발광되어 상기 투명 전극층을 통해 유입되는 빛을 반사하는 반사층을 상기 투명 전극층의 위에 형성하는 단계;(3) 상기 반사층을 통해 상기 투명 전극층에 전기적으로 연결되는 p형 전극층을 상기 반사층의 위에 형성하는 단계; 및(4) 상기 반사층의 내부에 상기 투명 전극층과 상기 p형 전극층을 전기적으로 연결하는 전도성 필라멘트를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 (2)단계에서 형성되는 상기 반사층은,서로 다른 저항 변화 물질을 교대로 반복하여 적층시킨 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector, DBR)이며,상기 p형 전극층과 상기 반사층은,서로 동일한 폭을 갖도록 증착되거나 패터닝되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 제 (4)단계에서 형성되는 상기 반사층의 전도성 필라멘트는,상기 투명 전극층, 상기 반사층 및 상기 p형 전극층이 순차적으로 적층된 이후에, 상기 투명 전극층과 상기 p형 전극층을 통해 인가되는 전계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 제 (2)단계에서 상기 반사층을 형성하는 저항 변화 물질은,산화알루미늄(Al2O3), 이산화규소(SiO2), 산화하프늄(HfO2), 이산화 타이타늄(TiO2), 산화아연(ZnO), 삼산화텅스텐(WO3), 산화몰리브덴(MoO3), 산화니켈(NiO), Mn-doped tin oxide(MTO), Zn doped tin oxide(ZTO), Ga doped ZnO(GZO), SnxOy, ZrxOy, CoxOy, CrxOy, VxOy, NbxOy ZnMgBeO, MgxOy, MgxNy, TixNy, InxNy, GaxNy, GaxOy, boron nitride(BN), NixNy, SixNy, Al doped ZnO(AZO), MgxZnyOx 및 CuxOy 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 제 (3)단계에서 형성되는 상기 p형 전극층은,크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중에서 적어도 두 개 이상의 물질이 순차적으로 적층된 복수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자용 반사전극의 제조방법
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