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기판 상에 유전체 물질로 패턴을 형성하는 단계;상기 패턴 이외의 영역에 희생층, 에피층 및 전극층을 순차적으로 형성하는 단계; 및에칭액으로 상기 유전체 물질과 상기 희생층을 에칭하여 상기 기판을 분리하는 단계; 를 포함하고,상기 패턴 이외의 영역에 희생층, 에피층 및 전극층을 순차적으로 형성하는 단계는, 상기 패턴 이외의 영역에 희생층 및 에피층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 패턴 영역 및 상기 패턴 이외의 영역 간에 높낮이 차이가 없도록 포토 레지스트를 코팅하는 단계;포토마스크를 이용하여 상기 패턴 이외의 영역의 포토 레지스트를 제거하는 단계; 및전자빔 증착기를 이용하여 전극을 증착하고, 리프트 오프 공정을 통해 상기 패턴 영역의 포토 레지스트 및 전극을 제거하여 상기 패턴 이외의 영역에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는,선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법
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제1항에 있어서, 상기 에칭액으로 상기 유전체 물질과 상기 희생층을 에칭하여 기판을 분리하는 단계는, 상기 전극층 상에 flexible 시트 또는 rigid 시트를 본딩하는 단계; 및 에칭액에 담가 상기 유전체 물질 및 상기 희생층을 에칭하여 상기 에피층을 상기 기판에서 분리하는 단계를 포함하는, 선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법
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제3항에 있어서, 상기 flexible 시트 또는 rigid 시트에 하나 이상의 홀이 형성된, 선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법
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제1항에 있어서,상기 기판이 분리된 에피층에 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는, 선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법
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제1항에 있어서,상기 유전체 물질은 HF에 의해 에칭 가능한 물질인, 선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법
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제6항에 있어서, 상기 유전체 물질은 SiO2, SiNx 및 ZnO 중 적어도 하나인, 선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 GaAs로 형성되고, 상기 희생층은 AlAs로 형성되며, 상기 전극층은 Au로 형성되고, 상기 에칭액은 HF 혼합물인, 선택영역 성장법을 이용한 기판 재활용 방법
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