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그래핀 산화물을 포함하는 분산액을 준비하는 단계;상기 분산액을 플라즈마 반응기 내에 주입하는 단계; 및상기 플라즈마 반응기 내부에 플라즈마를 형성하여 기판 상에 그래핀 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 그래핀 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 분산액은 그래핀 산화물 및 C, H 및 O 원소를 함유하는 용매를 포함하는 것인, 그래핀 산화물 박막 제조방법
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제2항에 있어서,상기 그래핀 산화물은 플레이크 형태인 것인, 그래핀 산화물 박막 제조방법
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제2항에 있어서,상기 용매는 R(OH)n (n=1,2, R은 탄소수 1 내지 3의 알킬기)의 구조식을 갖는 것인, 그래핀 산화물 박막 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 플라즈마 반응기 내에 고주파 파워(RF power)를 인가함에 따라 상기 분산액 내 용매가 플라즈마화 되는 것인, 그래핀 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 유리인 것인, 그래핀 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 산화물 박막은, 두께에 따라 상기 박막 내 원소 성분이 다르게 분포되는 것인, 그래핀 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 산화물 박막은, 상기 박막 내에서 기판과 접하는 방향으로는 탄소와 산소 결합 구조가 탄소와 탄소 결합 구조보다 많고, 기판과의 반대 방향으로는 탄소와 탄소 결합 구조가 탄소와 산소 결합 구조보다 많은 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀 산화물 박막은, 상기 박막 내에서 기판과 접하는 방향으로 갈수록 탄소와 산소 결합이 증가하는 구조를 갖는 것인, 그래핀 산화물 박막 제조방법
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기판 상에 형성되고, 두께에 따라 상기 박막 내 원소 성분이 다르게 분포되는 것을 특징으로 하는 그래핀 산화물 박막
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제10항에 있어서, 상기 그래핀 산화물 박막은, 상기 박막 내에서 기판과 접하는 방향으로 갈수록 탄소와 산소 결합이 증가하는 구조를 갖는 것인, 그래핀 산화물 박막
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제10항에 있어서,상기 기판은 실리콘 웨이퍼, 유리 또는 폴리머인 것인, 그래핀 산화물 박막
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제10항에 있어서,상기 그래핀 산화물 박막의 두께는 1nm 내지 100nm인 것인, 그래핀 산화물 박막
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