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기판;상기 기판 상에 형성되는 제1 전극층;상기 기판 상에 형성되는 제1 공통층;상기 제1 공통층 상에 형성되는 발광층;상기 발광층 상에 형성되는 제2 공통층; 및상기 제2 공통층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하고,상기 제1 공통층은 제1 금속 양이온 및 제2 금속 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막을 포함하고,상기 제1 금속 양이온과 상기 제2 금속 양이온의 산화수는 서로 다른 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 산화 니켈 박막은 X선 광전자 분광법을 이용한 Ni2p 전자 궤도의 내로우 스캔(Narrow scan) 결과에서 피크 비(Peak ratio)가 3
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제 1 항에 있어서,상기 산화 니켈 박막은 자외선 광전자 분광법을 이용하여 계산한 이온화 에너지가 5
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나이고,상기 제2 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나인 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 양이온은 구리 1가 양이온이고,상기 제2 금속 양이온은 구리 2가 양이온인 표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 양이온은 주기율표 1족 양이온이고,상기 제2 금속 양이온은 주기율표 2족 양이온인 표시소자
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7
기판 상에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 상에 제1 공통층을 형성하는 단계;상기 제1 공통층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 제2 공통층을 형성하는 단계; 및상기 제2 공통층 상에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 공통층을 형성하는 단계는:산화 니켈의 전구체 용액, 제1 금속 양이온의 전구체 용액 및 제2 금속 양이온의 전구체 용액을 혼합하는 단계; 및혼합된 용액을 스핀 코팅한 후 열처리하여 상기 제1 금속 양이온 및 제2 금속 양이온이 공동 도핑된 산화 니켈 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 금속 양이온과 상기 제2 금속 양이온의 산화수는 서로 다른 표시소자 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 산화 니켈 박막에서 상기 제1 금속 양이온 및 상기 제2 금속 양이온을 합한 원자 수의 비율이 15% 내지 25%인 표시소자 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제1 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나이고,상기 제2 금속 양이온은 구리 양이온, 리튬 양이온, 알루미늄 양이온, 마그네슘 양이온 중 하나인 표시소자 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제1 금속 양이온은 구리 1가 양이온이고,상기 제2 금속 양이온은 구리 2가 양이온인 표시소자 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 제1 금속 양이온은 주기율표 1족 양이온이고,상기 제2 금속 양이온은 주기율표 2족 양이온인 표시소자 제조방법
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