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제1항에 있어서, 상기 콜로이드 양자점은, 셀렌화카드뮴 (Cadmium Selenide, CdSe), 황화카드뮴 (Cadmium Sulfide, CdS), 텔루르화카드뮴 (Cadmium Telluride, CdTe), 셀렌화아연 (Zinc Selenide, ZnSe), 황화아연 (Zinc Sulfide, ZnS), 텔루르화아연 (Zinc Telluride, ZnTe), 셀렌화수은 (Mercury Selenide, HgSe), 황화수은 (Mercury Sulfide, HgS), 텔루르화수은 (Mercury Telluride, HgTe), 셀렌화구리인듐 (Copper Indium Selenide, CuInSe2), 황화구리인듐 (Copper Indium Sulfide, CuInS2), 인화인듐 (Indium Phosphide, InP), 알센화인듐 (Indium Arsenide, InAs), 알센화갈륨 (Gallium Arsenide, GaAs), 질화갈륨 (Gallium Nitride, GaN), 인화갈륨 (Gallium Phosphide, GaP), 알센화갈륨알루미늄 (Gallium Aluminum Arsenide, GaAlAs), 알센화갈륨인듐 (Gallium Indium Arsenide, GaInAs), 황화납 (Lead Sulfide, PbS), 셀렌화납 (Lead Selenide, PbSe) 및 텔루르화납 (Lead Telluride, PbTe)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 콜로이드 양자점 복합체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 양이온성 계면활성제는 세틸피리디늄 클로라이드 (Cetylpyridinium chloride, CTC), 베헨트라이모늄 클로라이드 (Behentrimonium chloride, BTAC-228), 벤잘코니윰 클로라이드 (Benzalkonium chloride, BZK), 벤조도데시늄 브로마이드 (Benzododecinium bromide), 세탈코늄 클로라이드 (Cetalkonium chloride, CKC), 세트리모늄 브로마이드 (Cetrimonium bromide, CTAB), 세트리모늄 클로라이드 (Cetrimonium chloride), 다이데실다이메틸암모늄 클로라이드 (Didecyldimethylammonium chloride, DDAC), 다이메틸다이옥타데실암모늄 브로마이드 (Dimethyldioctadecylammonium bromide, DODAB), 다이메틸다이옥타데실암모늄 클로라이드 (Dimethyldioctadecylammonium chloride, DODAC) 및 스테아랄코늄 클로라이드 (Stearalkonium chloride)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 콜로이드 양자점 복합체의 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 콜로이드 양자점은, 클로로포름 (Chloroform), 헥세인 (Hexane), 및 시클로헥세인 (Cyclohexane)으로 이루어진 그룹에서 적어도 하나를 포함하는 휘발성 유기 용매에 분산된 것이며, 상기 수분산된 콜로이드 양자점을 형성하는 단계는, 가열하여 상기 휘발성 유기 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콜로이드 양자점 복합체의 제조 방법
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