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실리콘 아미노아미드 이미드 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2019004309
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열적 안정성과 휘발성이 개선된 신규한 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물에 관한 것으로, 상기 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물을 이용하여 낮은 온도에서 우수한 성장 속도로, 쉽게 양질의 실리콘 질화물 박막을 제조하는 방법 및 이를 통해 제조된 실리콘 질화물 박막을 제공할 수 있다.
Int. CL C07F 7/02 (2006.01.01) C23C 16/34 (2006.01.01)
CPC C07F 7/025(2013.01) C07F 7/025(2013.01)
출원번호/일자 1020170139474 (2017.10.25)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0046191 (2019.05.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.08.06)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박보근 대전광역시 유성구
2 정택모 대전광역시 유성구
3 김창균 대전광역시 유성구
4 김건환 대전광역시 유성구
5 이선주 충청남도 아산시 모종남로 **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-1056434-61
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0825896-26
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물
2 2
제 1항에 있어서,상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로 C1 내지 C7의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R6는 C1 내지 C7의 선형 또는 분지형 알킬기인 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물
3 3
하기 화학식 2로 표시되는 실리콘 아미노아미드 화합물을 화학식 3으로 표시되는 실릴 아민 화합물과 반응시켜 하기 화학식 1의 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물을 제조하는 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 화학식 2의 실리콘 아미노아미드 화합물은 하기 화학식 4로 표시되는 실리콘 할라이드 화합물을 화학식 5로 표시되는 아미노아미드 금속염과 반응시켜 제조되는 것인 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물의 제조방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 따른 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물을 포함하는 실리콘 질화물 박막증착용 조성물
6 6
제 1항 또는 제 2항에 따른 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물을 이용하여 실리콘 질화물 박막을 성장시키는 방법
7 7
제 6항에 있어서,박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의해 수행되는 것인 방법
8 8
제 1항 또는 제 2항에 따른 실리콘 아미노아미드 이미드 화합물을 이용하여 제조된 실리콘 질화물 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 기획예산처 한국화학연구원 정부출연일반사업 (Sub) IT·ET 융복합 산업 유기금속화합물 및 소자화 공정 개발
2 중소기업청 한국화학연구원 산학연협력 기술개발사업 저온(100℃이하) ALD SiNx 박막 형성 기술 개발 및 이를 통한 Si precursors 개량(바우처)