맞춤기술찾기

이전대상기술

IGZO 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019004329
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 IGZO 박막의 성막 후 고온의 열처리 공정을 거치지 않고도 박막 트랜지스터의 성능을 향상시킬 수 있는 IGZO 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 IGZO 박막을 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층;을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 IGZO 박막을 성막한 후 마이크로파로 처리하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
Int. CL H01L 27/12 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01) G02F 1/1368 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180106066 (2018.09.05)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0046625 (2019.05.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170139559   |   2017.10.25
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김현석 대전광역시 유성구
2 양대규 경상북도 구미시
3 김형도 대전광역시 동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0884029-37
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0145270-39
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0916960-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
IGZO 박막을 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층;을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는 IGZO 박막의 성막 후 마이크로파로 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,마이크로파의 처리 전에 100~200℃에서 열처리하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 IGZO 박막은 스퍼터링, 화학기상증착, 플라즈마 보조 화학기상증착, 진공 증착, 전자빔 증착, 이온 플레이팅 또는 펄스레이저 증착에 의해 성막되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마이크로파의 주파수는 1~10 GHz인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
제 5 항에 있어서,상기 마이크로파 처리는 100~3,000W의 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마이크로파 처리에 의해 박막 트랜지스터의 드레인 전류, 서브문턱 스윙, 문턱 전압, 게이트 전압 및 전류점멸비로 구성되는 군으로 이루어진 박막 트랜지스터의 특성 중 하나 이상이 마이크로파 처리 전에 비해 증가하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마이크로파 처리는 산소 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제 1 항 또는 제 2 항의 방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터
9 9
제 8 항의 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 충남대학교 원자력연구개발사업 In-Ga-Zn-O 박막 트랜지스터의 전기 및 광학적 특성에 대한 전자빔 조사의 영향
2 산업통상자원부 한양대학교 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업 초고이동도 (≥120 cm2/Vs) 저온 박막 산화물계 트랜지스터 소재 및 공정 기술 개발