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준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는 광 검출기

  • 기술번호 : KST2019004336
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 준-2 차원 (quasi-2D) 페로브스카이트 단위 셀 (unit cell)을 포함하여 차원 조절이 가능한 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는 광 검출기에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 31/0256 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0091(2013.01) H01L 51/0091(2013.01) H01L 51/0091(2013.01) H01L 51/0091(2013.01) H01L 51/0091(2013.01) H01L 51/0091(2013.01)
출원번호/일자 1020170141426 (2017.10.27)
출원인 이화여자대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0047487 (2019.05.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동하 서울특별시 마포구
2 임주원 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이화여자대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-1067309-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0041774-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0657224-57
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-1149716-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1149750-12
7 등록결정서
Decision to grant		 2020.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0184897-16
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1에 의해 표시되는 준-2 차원 (quasi-2D) 페로브스카이트 단위 셀 (unit cell)을 포함하는 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 광활성층으로서 포함하는,광 검출기:[화학식 1](ANH3)2(RNH3)n-1MnX3n+1; 상기 화학식 1에서,A는 아릴-알킬기를 포함하고,R은 알킬기를 포함하고,M은 Pb2+, Cu2+, Ni2+, Co2+, Fe2+, Mn2+, Cr2+, Pd2+, Cd2+, Yb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 양이온을 포함하고,X는 할라이드 음이온을 포함하고,n은 40 내지 100의 정수임
2 2
제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름은 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀이 하나 이상 포함되어 있는 것인, 광 검출기
3 3
제 1 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 표면-말단에 상기 ANH3 양이온이 결합되어 있고, 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 벌크에 상기 RNH3 양이온이 혼입되어 있는 것인, 광 검출기
4 4
제 1 항에 있어서,상기 A는 페닐-C1-6 알킬기이고, 상기 R은 C1-6 알킬기이고, 상기 M은 Pb2+를 포함하고, 상기 X는 요오드 음이온인, 광 검출기
5 5
제 1 항에 있어서,상기 n의 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 차원이 조절되어 상기 광 검출기의 광 검출 성능이 조절 또는 향상되는 것인, 광 검출기
6 6
제 5 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 n 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 안정성이 조절 또는 향상되어 상기 광 검출기의 광 검출 성능이 조절 또는 향상되는 것인, 광 검출기
7 7
제 5 항에 있어서,상기 준-2 차원 페로브스카이트 단위 셀의 n 값을 조절함으로써 상기 준-2 차원 페로브스카이트 필름의 광 전류 및/또는 암 전류가 조절 또는 향상되어 상기 광 검출기의 광 검출 성능이 조절 또는 향상되는 것인, 광 검출기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 과학기술정보통신부 이화여자대학교 산학협력단 기초연구사업(학술진흥)-중견연구자지원사업-도약연구-후속연구지원(도전) 플라즈모닉 결합효과 극대화 발현 하이브리드 나노구조체 도출에 의한 광전환 효율 향상 연구