| 1 |
1
환원된 그래핀 산화물, 및 상기 환원된 그래핀 산화물을 둘러싸도록 꼬인 제1 탄소나노튜브 시트를 포함하는 제1 전극 섬유;이산화망간, 및 상기 이산화망간을 둘러싸도록 꼬인 제2 탄소나노튜브 시트를 포함하는 제2 전극 섬유; 및상기 제1 전극 섬유 및 상기 제2 전극 섬유 사이의 전해질을 포함하는 슈퍼커패시터
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극 섬유에서 상기 환원된 그래핀 산화물의 wt%가, 상기 제2 전극 섬유에서 상기 이산화망간의 wt%보다, 높은 것을 포함하는 슈퍼커패시터
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극 섬유에서 상기 제1 탄소나노튜브 시트의 개수는, 상기 제2 전극 섬유에서 상기 제2 탄소나노튜브 시트의 개수보다, 많은 것을 포함하는 슈퍼커패시터
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서, 상기 환원된 그래핀 산화물은 질소 도핑된 것을 포함하는 슈퍼커패시터
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 탄소나노튜브 시트는, 말리고(rolled) 적층된(stacked) 형태로 제공되고, 말리고 적층된 상기 제1 및 제2 탄소나노튜브 시트 사이에, 상기 환원된 그래핀 산화물 및 상기 이산화망간이 각각 제공되는 것을 포함하는 슈퍼커패시터
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극 섬유는 제1 방향으로 연장하고, 상기 제1 방향을 법선으로 갖는 제1 평면으로 절취한 단면에서, 상기 제1 및 제2 탄소나노튜브 시트의 단면은 나선형(spiral)으로 제공되는 것을 포함하는 슈퍼커패시터
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 제1 전극 섬유에서, 상기 환원된 그래핀 산화물의 wt%가 상기 제1 탄소나노튜브 시트의 wt%보다 높고, 상기 제2 전극 섬유에서, 상기 이산화망간의 wt%가 상기 제2 탄소나노튜브 시트의 wt%보다 높은 것을 포함하는 슈퍼커패시터
|
| 8 |
8
제1 탄소나노튜브 시트를 준비하는 단계;상기 제1 탄소나노튜브 시트 상에, 환원된 그래핀 산화물을 제공하는 단계;상기 환원된 그래핀 산화물이 제공된 상기 제1 탄소나노튜브 시트를 꼬아서, 제1 전극 섬유를 제조하는 단계;제2 탄소나노튜브 시트를 준비하는 단계;상기 제2 탄소나노튜브 시트 상에, 이산화망간을 제공하는 단계;상기 이산화망간이 제공된 상기 제2 탄소나노튜브 시트를 꼬아서, 제2 전극 섬유를 제조하는 단계; 및상기 제1 및 제2 전극 섬유를 전해질로 코팅하는 단계를 포함하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8 항에 있어서, 상기 환원된 그래핀 산화물을 상기 제1 탄소나노튜브 시트에 제공하는 단계, 및 상기 이산화망간을 상기 제2 탄소나노튜브 시트에 제공하는 단계는, 용액 공정으로 수행되는 것을 포함하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
|
| 10 |
10
제8 항에 있어서, 상기 환원된 그래핀 산화물을 상기 제1 탄소나노튜브 시트에 제공하는 단계는, 상기 환원된 그래핀 산화물이 분산된 제1 소스 용액을 준비하는 단계; 및상기 제1 소스 용액을 상기 제1 탄소나노튜브 시트 상에 제공하는 단계를 포함하고, 상기 이산화망간을 상기 제2 탄소나노튜브 시트에 제공하는 단계는, 상기 이산화망간이 분산된 제2 소스 용액을 준비하는 단계; 및상기 제2 소스 용액을 상기 제2 탄소나노튜브 시트 상에 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제1 소스 용액 내 상기 환원된 그래핀 산화물의 wt%가, 상기 제2 소스 용액 내 상기 이산화망간의 wt%보다 높은 것을 포함하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
|
| 11 |
11
제8 항에 있어서, 상기 환원된 그래핀 산화물을 상기 제1 탄소나노튜브 시트에 제공하는 단계는, 상기 환원된 그래핀 산화물이 분산된 제1 소스 용액을 상기 제1 탄소나노튜트 시트 상에 제공하는 단계, 및 상기 제1 소스 용액이 제공된 상기 제1 탄소나노튜브 시트를 건조하는 단계를 복수회 반복 수행하는 것을 포함하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
|
