| 1 |
1
대상의 표면을 처리하기 위해 플라즈마 발생을 위한 전원을 입력받는 입력부;상기 입력받은 전원을 인가받아, 상기 플라즈마를 발생시키는 전극부;상기 전극부의 일측에 형성되되, 상기 대상의 표면적 중 적어도 일부와 대응되도록 위치하며, 상기 플라즈마 발생에 의한 상기 대상의 표면과 상기 전극부 사이에서 감지되는 전기적 특성에 따른 전기적 신호를 생성하는 센서부; 및상기 전기적 신호를 기반으로 상기 발생된 플라즈마의 밀도를 산출함에 따라 상기 대상의 표면을 모니터링하는 대상 표면 모니터링부;를 포함하고,상기 센서부는, ⅰ) 상기 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되며, 상기 전기적 신호를 생성하는 한 쌍의 전극; ⅱ) 상기 한 쌍의 전극의 하부면과 인접하여 형성되는 유전체 기판; 및 ⅲ) 유전체 물질을 이용하여 상기 한 쌍의 전극에 상기 플라즈마가 접촉되는 것을 방지하기 위해, 상기 한 쌍의 전극의 하부면을 제외한 상기 한 쌍의 전극의 타면적 및 상기 유전체 기판의 적어도 일부를 커버하며, 상기 유전체 기판보다 두껍게 형성되는 전극 커버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링이 가능한 플라즈마 발생 장치
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,그라운드 전압을 가지며, 상기 전극부의 적어도 일측에 형성되는 베이스부를 더 포함하고,상기 센서부는 상기 베이스부 내에 위치하여 상기 전기적 특성을 감지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링이 가능한 플라즈마 발생 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 입력된 전원의 전압, 전류 및 위상을 분석하여 플라즈마의 발생 여부를 판단하는 판단부; 및상기 분석된 상기 전원의 전압, 전류 및 위상에 대한 정보를 전달받아, 상기 전극부의 표면을 모니터링하는 전극 표면 모니터링부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링이 가능한 플라즈마 발생 장치
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 플라즈마가 발생하는 위치로 공정 가스를 주입하는 공정 가스 주입부 및 상기 전원의 전압, 전류 및 위상에 대한 정보에 따라 상기 공정 가스의 주입을 제어하는 제어부를 더 포함하고,상기 전극부는 상기 주입된 공정 가스 및 상기 인가받은 전원를 이용하여 상기 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링이 가능한 플라즈마 발생 장치
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 입력받은 전원을 상기 전극부에 최대로 전달하기 위해 임피던스를 조정하는 임피던스 조정부를 더 포함하는 플라즈마 모니터링이 가능한 플라즈마 발생 장치
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 센서부는 적어도 2개의 전극들을 포함하고, 상기 전극들의 간격은 0
|
| 9 |
9
대상의 표면을 처리하기 위해 외부로부터 플라즈마 발생을 위한 전원을 공급하는 전원 공급부;상기 공급된 전원을 인가받아, 상기 플라즈마를 발생시키는 전극부;상기 전극부의 일측에 형성되되, 상기 대상의 표면적 중 적어도 일부와 대응되도록 위치하며, 상기 플라즈마 발생에 의한 상기 대상의 표면과 상기 전극부 사이에서의 감지되는 전기적 특성에 따른 전기적 신호를 생성하는 센서부;상기 전기적 신호를 기반으로 상기 발생된 플라즈마의 밀도를 산출함에 따라 플라즈마를 진단하여 상기 대상의 표면을 모니터링하는 대상 표면 모니터링부;를 포함하고,상기 센서부는, ⅰ) 상기 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되며, 상기 전기적 신호를 생성하는 한 쌍의 전극; ⅱ) 상기 한 쌍의 전극의 하부면과 인접하여 형성되는 유전체 기판; 및 ⅲ) 유전체 물질을 이용하여 상기 한 쌍의 전극에 상기 플라즈마가 접촉되는 것을 방지하기 위해, 상기 한 쌍의 전극의 하부면을 제외한 상기 한 쌍의 전극의 타면적 및 상기 유전체 기판의 적어도 일부를 커버하며, 상기 유전체 기판보다 두껍게 형성되는 전극 커버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링이 가능한 플라즈마 발생 장치
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제9항에 있어서,상기 공급된 전원의 전압, 전류 및 위상을 분석하여 플라즈마의 발생 여부를 판단하는 판단부; 및상기 분석된 상기 전원의 전압, 전류 및 위상에 대한 정보를 전달받아, 상기 전극부의 표면을 모니터링하는 전극 표면 모니터링부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링이 가능한 플라즈마 발생 장치
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 플라즈마가 발생하는 위치로 공정 가스를 주입하는 공정 가스 주입부 및 상기 전원의 전압, 전류 및 위상에 대한 정보에 따라 상기 공정 가스의 주입을 제어하는 제어부를 더 포함하고,상기 전극부는 상기 주입된 공정 가스 및 상기 인가받은 전원를 이용하여 상기 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링이 가능한 플라즈마 발생 장치
|
| 14 |
14
전극부와 센서부를 구비하여 플라즈마 모니터링하는 방법에 있어서,대상의 표면을 처리하기 위해 외부로부터 플라즈마 발생을 위한 전원을 입력받는 단계;상기 입력받은 전원을 인가받아, 상기 플라즈마를 발생시키는 단계;상기 센서부는, 상기 전극부의 일측에 형성되고, 상기 대상의 표면적 중 적어도 일부와 대응되도록 위치하며, 상기 플라즈마 발생에 의한 상기 대상의 표면과 상기 전극부 사이에서의 감지되는 전기적 특성에 따른 전기적 신호를 생성하는 단계; 및상기 전기적 신호를 기반으로 상기 발생된 플라즈마의 밀도를 산출함에 따라 플라즈마를 진단하여 상기 대상의 표면을 모니터링하는 단계;를 포함하고,상기 센서부는, ⅰ) 상기 발생된 플라즈마 중 적어도 일부가 증착되며, 상기 전기적 신호를 생성하는 한 쌍의 전극; ⅱ) 상기 한 쌍의 전극의 하부면과 인접하여 형성되는 유전체 기판; 및 ⅲ) 유전체 물질을 이용하여 상기 한 쌍의 전극에 상기 플라즈마가 접촉되는 것을 방지하기 위해, 상기 한 쌍의 전극의 하부면을 제외한 상기 한 쌍의 전극의 타면적 및 상기 유전체 기판의 적어도 일부를 커버하며, 상기 유전체 기판보다 두껍게 형성되는 전극 커버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 입력된 전원의 전압, 전류 및 위상을 분석하여 플라즈마의 발생 여부를 판단하는 단계; 및상기 분석된 상기 전원의 전압, 전류 및 위상에 대한 정보를 전달받아, 상기 전극부의 표면을 모니터링하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서,상기 플라즈마가 발생하는 위치로 공정 가스를 주입하는 단계 및 상기 전원의 전압, 전류 및 위상에 대한 정보에 따라 상기 공정 가스의 주입을 제어하는 단계를 더 포함하고,상기 전극부는 상기 주입된 공정 가스 및 상기 인가받은 전원를 이용하여 상기 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법
|
| 18 |
18
제14항 및 제16항 내지 제17항 중 적어도 어느 한 항에 따른 플라즈마 모니터링 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 판독 가능 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
|
