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나노 플레이크 결함 부동화 방법 및 이를 이용해 제조된 전자 소자

  • 기술번호 : KST2019004460
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 도전막의 제조 방법 및 이를 이용해 제조된 전자 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판 상에 복수개의 조각들을 포함하는 도전막을 형성하는 것, 상기 도전막은 반도체 또는 도체이고; 및 서로 인접하는 상기 조각들 사이의 경계 상에 선택적으로 부동화 영역을 형성하는 것을 포함한다. 상기 부동화 영역은, 금속 칼코게나이드 및 전이금속 칼코게나이드로 이루어진 군에서 선택된 금속 화합물을 포함하고, 상기 부동화 영역을 형성하는 것은, 상기 금속 화합물의 양이온을 포함하는 제1 전구체 및 상기 금속 화합물의 음이온을 포함하는 제2 전구체를 함유하는 용액을 상기 도전막 상에 제공하는 것을 포함하고, 상기 용액의 pH는 7.0 내지 10.0이다.
Int. CL C23C 18/00 (2018.01.01) C23C 18/12 (2006.01.01) C23C 18/06 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180116621 (2018.09.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0049445 (2019.05.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170144962   |   2017.11.01
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.01.06)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대전시 유성구
2 양준재 대전광역시 중구
3 연창봉 경기도 남양주시
4 임정욱 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0963817-85
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2020.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0009780-11
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번호 청구항
1 1
기판 상에 복수개의 조각들을 포함하는 도전막을 형성하는 것, 상기 도전막은 반도체 또는 도체이고; 및서로 인접하는 상기 조각들 사이의 경계 상에 선택적으로 부동화 영역을 형성하는 것을 포함하되,상기 부동화 영역은, 금속 칼코게나이드 및 전이금속 칼코게나이드로 이루어진 군에서 선택된 금속 화합물을 포함하고,상기 부동화 영역을 형성하는 것은, 상기 금속 화합물의 양이온을 포함하는 제1 전구체 및 상기 금속 화합물의 음이온을 포함하는 제2 전구체를 함유하는 용액을 상기 도전막 상에 제공하는 것을 포함하고,상기 용액의 pH는 7
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 화합물은 MaXb의 화학식으로 표현되고,상기 M은 Zn 또는 Cd를 포함하고, 상기 X는 S, Se, O 또는 Te를 포함하며, 상기 a 및 상기 b는 각각 독립적으로 1 이상의 정수인 도전막의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 용액 내 상기 금속 화합물의 양이온의 몰 농도에 대한 상기 금속 화합물의 음이온의 몰 농도의 비는 9 내지 20인 도전막의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 경계는 결정립계인 도전막의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,각각의 상기 조각들은, 금속 칼코게나이드, 전이금속 칼코게나이드 또는 그래핀을 포함하고,각각의 상기 조각들은, 단일 층 구조, 또는 2 내지 10의 단일 층들이 적층된 다층 구조를 갖는 도전막의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 도전막을 형성하는 것은,금속 칼코게나이드, 전이금속 칼코게나이드 또는 그래핀을 박리하여, 용액상 내에 분산된 상기 조각들을 형성하는 것; 및상기 조각들을 상기 기판 상에 균일하게 제공하는 것을 포함하는 도전막의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 부동화 영역은 복수개로 형성되어 상기 경계를 따라 배열되는 도전막의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 부동화 영역은 상기 조각들의 상면들 상에는 형성되지 않는 도전막의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,서로 인접하는 상기 조각들은 상기 경계를 사이에 두고 서로 이격되며,상기 부동화 영역은 상기 경계를 채우도록 형성되어, 서로 인접하는 상기 조각들을 연결하는 도전막의 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,서로 인접하는 상기 조각들은, 제1 조각 및 상기 제1 조각 상의 제2 조각을 포함하고,상기 제2 조각은 상기 제1 조각의 상면의 적어도 일부를 덮으며,상기 제1 조각의 상면 상의 상기 제2 조각의 가장자리에 상기 경계가 정의되는 도전막의 제조 방법
11 11
기판;상기 기판 상의 복수개의 조각들을 포함하는 도전막, 상기 도전막은 반도체 또는 도체이고; 및서로 인접하는 상기 조각들 사이의 경계 상에 선택적으로 제공된 부동화 영역을 포함하되,각각의 상기 조각들은, 금속 칼코게나이드, 전이금속 칼코게나이드 또는 그래핀을 포함하고,각각의 상기 조각들은, 단일 층 구조, 또는 2 내지 10의 단일 층들이 적층된 다층 구조를 가지며,상기 부동화 영역은, 금속 칼코게나이드, 금속 칼코게나이드 및 전이금속 칼코게나이드로 이루어진 군에서 선택된 금속 화합물을 포함하는 전자 소자
12 12
제11항에 있어서,상기 금속 화합물은 MaXb의 화학식으로 표현되고,상기 M은 Zn 또는 Cd를 포함하고, 상기 X는 S, Se, O 또는 Te를 포함하며, 상기 a 및 상기 b는 각각 독립적으로 1 이상의 정수인 전자 소자
13 13
제11항에 있어서,상기 경계는 결정립계인 전자 소자
14 14
제11항에 있어서,상기 부동화 영역은 복수개로 제공되어 상기 경계를 따라 배열되는 전자 소자
15 15
제11항에 있어서,상기 부동화 영역은 상기 조각들의 상면들 상에는 제공되지 않는 전자 소자
16 16
제11항에 있어서,서로 인접하는 상기 조각들은 상기 경계를 사이에 두고 서로 이격되며,상기 부동화 영역은 상기 경계를 채우며, 서로 인접하는 상기 조각들을 연결하는 전자 소자
17 17
제11항에 있어서,서로 인접하는 상기 조각들은, 제1 조각 및 상기 제1 조각 상의 제2 조각을 포함하고,상기 제2 조각은 상기 제1 조각의 상면의 적어도 일부를 덮으며,상기 제1 조각의 상면 상의 상기 제2 조각의 가장자리에 상기 경계가 정의되는 전자 소자
18 18
제11항에 있어서,상기 기판 상의 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하되,상기 도전막은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 제공되어 이들을 전기적으로 연결하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10580714 US 미국 FAMILY
2 US20190131201 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 ETRI연구개발지원사업 차세대 신기능 스마트디바이스 플랫폼을 위한 대면적 이차원소재 및 소자 원천기술 개발