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이온트랩 장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2019004484
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예들은 전하를 띤 이온과 같은 하전 입자의 포획 성능을 향상시키기 위해, 이온트랩의 중앙에 기판을 관통하는 슬롯에 경사면을 형성하여, 이온트랩 장치의 기초가 되는 이온 포획 위치에 노출되지 않도록 하는 이온트랩 장치 및 그 제조방법을 제공하는 데에 주된 목적이 있다.
Int. CL H01J 49/42 (2006.01.01) H01J 9/14 (2006.01.01)
CPC H01J 49/424(2013.01) H01J 49/424(2013.01)
출원번호/일자 1020170144286 (2017.10.31)
출원인 아이디 퀀티크 에스.에이., 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0048956 (2019.05.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.31)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아이디 퀀티크 에스.에이. 스위스 스위스 씨에이치-**** 까루즈 슈만 드 라 말브러
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영대 서울특별시 중구
2 김태현 서울특별시 중구
3 조동일 서울특별시 강남구
4 홍석준 서울특별시 관악구
5 정창현 서울특별시 관악구
6 정준호 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로**길 **(역삼동) 베리타스빌딩, *-*층(베리타스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-1081543-15
2 보정요구서
Request for Amendment
2017.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0158526-92
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1182865-03
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0126621-25
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0027404-58
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0228641-51
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0228655-90
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0355007-16
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0633171-93
11 법정기간연장승인서
2018.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0101286-49
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.07.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0722721-60
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0722726-98
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0553901-19
15 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2018.09.19 1-1-2018-0932568-95
16 [반환신청]서류반려요청(반환신청)서
2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0939825-32
17 [반환신청]서류반려요청(반환신청)서
2019.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0009902-82
18 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.01.04 1-1-2019-0009851-41
19 [반환신청]서류반려요청(반환신청)서
2019.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0009889-75
20 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status
2019.01.04 1-1-2019-0009819-90
21 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.01.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0009870-19
22 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2019.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0059284-79
23 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2019.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0060251-08
24 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2019.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0011260-64
25 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2019.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0012221-62
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
28 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2019.07.11 수리 (Accepted) 7-8-2019-0017204-67
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 면, 제 2 면 및 기 설정된 두께를 갖도록 형성되는 기판;상기 제 1 면 상의 일부 영역에 형성되는 적어도 한 쌍의 DC 전극;상기 적어도 한 쌍의 DC 전극이 형성되지 않은 상기 제 1 면 상의 일부 영역에 상기 적어도 한 쌍의 DC 전극과 전기적으로 분리되도록 상기 적어도 한 쌍의 DC 전극을 따라 형성되어 외부로부터 기 설정된 주파수의 전압을 인가받는 적어도 한 쌍의 RF 전극; 및상기 적어도 한 쌍의 DC 전극의 사이에 상기 적어도 한 쌍의 DC 전극을 따라 상기 기판을 수직 방향으로 관통하도록 형성되는 슬롯을 포함하며, 상기 슬롯이 상기 기판을 수직 방향으로 관통하면서 상기 기판에 형성하는 경계면이 이온이 포획되는 위치인 이온 포획 지점으로부터 미노출되도록 하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 슬롯은 상기 제 2 면이 위치하는 방향으로 갈수록 넓어지도록 형성되는 한 쌍의 경사면을 포함하고, 상기 경사면은 상기 이온 포획 지점에 미노출되도록 형성(상기 이온 포획 지점을 지나면서 상기 슬롯을 관통하는 가상의 직선은 상기 기판을 제외한 다른 부분을 지나지 않고서는 상기 기판의 어느 일부분과도 만날 수 없도록 형성)되는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기판은,단결정 실리콘 반도체 기판이며, 상기 경사면은 상기 단결정 실리콘 반도체 기판의 (1 1 1) 방향 결정면을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치
4 4
제 2 항에 있어서,상기 슬롯은 상기 경사면보다 위에 형성된 슬롯 상부, 상기 경사면과 경계하는 슬롯 경사부 및 상기 경사면보다 아래에 형성된 슬롯 하부를 포함하고, 상기 슬롯 하부는 한 쌍의 측벽을 포함하며, 상기 한 쌍의 측벽 중 어느 한 측벽과 상기 제 2 면이 이루는 각의 각도는 80°에서 110°사이인 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치
5 5
기판을 준비하는 과정;상기 기판의 하면인 제 2 면에 경사면 및 하면 절연층을 형성하는 과정;상기 기판의 상면인 제 1 면에 접지 도전막을 형성하는 과정;상기 접지 도전막의 일부 영역인 제 1 영역을 제거하여 슬롯 상부를 형성하고, 상기 제 1 영역이 아닌 제 2 영역에 상면 절연층을 형성하는 과정;상기 상면 절연층의 상부에 RF 전극 및 외부 DC 전극 중 적어도 하나의 전극을 형성하기 위한 전극 도전막 형성 과정; 및상기 제 2 면에 슬롯 하부를 형성하여 상기 기판을 수직으로 관통하는 슬롯을 완성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 슬롯을 완성하는 과정은 상기 경사면을 포함하는 슬롯 경사부를 형성하고, 상기 슬롯 상부와 상기 슬롯 하부가 만나도록 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정을 이용하여 상기 슬롯 하부가 존재하는 방향으로부터 상기 기판의 일부 영역을 제거하는 것을 특징으로 하는 이온트랩 장치 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 슬롯을 완성하는 과정은 상기 경사면과 상기 제 1 면이 만나서 형성하는 내각이 54
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.