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전도체 패턴용 구리질화물 분말의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019004496
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레이저 조사에 의해 3차원 전도체 패턴을 형성하는 복합소재에 사용되는 전도체 패턴용 구리질화물 분말을 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 산화구리(Ⅰ) 분말과 암모니아 가스를 합성하여 구리질화물(Cu3N) 분말을 제조하는 전도체 패턴용 구리질화물의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01B 1/06 (2006.01.01) C01B 21/06 (2006.01.01)
CPC H01B 1/06(2013.01) H01B 1/06(2013.01)
출원번호/일자 1020170144485 (2017.11.01)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0049055 (2019.05.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유명재 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-1083049-18
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1161749-78
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2020.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0143527-97
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화구리(Ⅰ) 분말과 암모니아 가스를 합성하여 구리질화물(Cu3N) 분말을 제조하는 전도체 패턴용 구리질화물 분말의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산화구리(Ⅰ) 분말과 상기 암모니아 가스의 합성은 350 내지 400℃에서 진행하는 전도체 패턴용 구리질화물 분말의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 구리질화물 분말은 아래의 반응식에 의해 제조되는 전도체 패턴용 구리질화물 분말의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 산화구리(Ⅰ) 분말은 5 ㎛ 이하의 평균입도를 갖는 전도체 패턴용 구리질화물 분말의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 구리질화물 분말은 1 ㎛ 내지 5 ㎛의 평균입도를 갖는 전도체 패턴용 구리질화물 분말의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 구리질화물은 1 ㎛ 내지 2 ㎛의 평균입도를 갖는 전도체 패턴용 구리질화물 분말의 제조 방법
7 7
산화구리(Ⅰ) 분말과 암모니아 가스를 합성하여 제조한 전도체 패턴용 구리질화물 분말
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업부 유림특수화학(주) 산업핵심기술개발사업 (R)회로불량률 5% 이하 자동차용 레이저 직접 성형 입체회로부품 표면처리 기술 개발