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채널이 형성된 몰드를 이용한 나노와이어 패턴형성 방법

  • 기술번호 : KST2019004506
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 은나노와이어 패턴형성 방법은 몰드(mould)에 채널(channel)을 프린팅하는 프린팅단계; 상기 몰드를 다공성 필름의 상부에 설치하는 마운팅단계; 은나노와이어 용액을 상기 채널에 주입하여 리젝션단계; 상기 은나노와이어가 증착된 상기 몰드를 상기 다공성 필름으로부터 제거하는 리무브단계; 를 포함한다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01.01) G03F 1/80 (2012.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020170142266 (2017.10.30)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-2015278-0000 (2019.08.22)
공개번호/일자 10-2019-0047901 (2019.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20190828) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고용호 인천광역시 연수구
2 양명 인천광역시 연수구
3 윤정원 경기도 수원시 영통구
4 방정환 인천광역시 연수구
5 김준기 경기 군포시
6 유세훈 인천광역시 연수구
7 이창우 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
3 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1071104-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0124426-50
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0692566-87
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-1245364-86
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0031359-50
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0138148-54
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0250637-74
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0250630-55
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0534519-14
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0773509-16
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0773505-23
14 등록결정서
Decision to grant
2019.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0593577-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
몰드(mould)에 채널(channel)을 프린팅하는 프린팅단계;상기 몰드를 다공성 필름의 상부에 설치하는 마운팅단계;은나노와이어 용액을 상기 채널에 주입하는 리젝션단계; 및상기 몰드를 상기 은나노와이어가 증착된 상기 다공성 필름으로부터 제거하는 리무브단계;를 포함하고,상기 프린팅단계는상기 채널과 연통되도록 상기 몰드에 기 설정된 형상에 따른 패턴을 식각하는 에칭단계;를 포함하고,상기 리무브단계에서 상기 채널에 의해 상기 은나노와이어가 훼손되는 것을 방지하기 위하여 상기 에칭단계는 상기 채널보다 폭이 넓게 상기 패턴을 식각하는 것을 특징으로 하는 은나노와이어 패턴형성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 마운팅단계는상기 프린팅 된 채널이 상기 다공성 필름과 대향되도록, 상기 몰드를 상기 다공성 필름의 상부에 위치시키는 마운팅 제1단계; 및상기 다공성 필름에 외력을 가하여 상기 몰드를 상기 다공성 필름에 고정시키는 마운팅 제2단계;를 포함하는 은나노와이어 패턴형성 방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 마운팅 제2단계는상기 은나노와이어가 상기 다공성 필름에 증착되는 경우 상기 외력의 크기를 줄이는 것을 특징으로 하는 은나노와이어 패턴형성 방법
6 6
제 4항에 있어서,상기 리무브단계는상기 외력을 제거하여 상기 몰드를 상기 다공성 필름으로부터 떨어뜨리는 것을 특징으로 하는 은나노와이어 패턴형성 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 은나노와이어 패턴형성 방법은상기 다공성 필름에 증착되지 못한 상기 은나노와이어를 회수하여 재활용하는 리사이클링단계;를 포함하는 은나노와이어 패턴형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.