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금속 입자 또는 금속 박막을 포함하는 타겟을 준비하는 단계; 및비스무스 이온(Bi3+) 빔을 상기 타겟의 상기 금속 입자 또는 상기 금속 박막에 조사하여 불연속적 크기 분포를 가지는 금속 클러스터 이온을 형성하는 단계;를 포함하는,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 클러스터 이온은, 홀수 개 원자로 구성된 클러스터 이온의 비율이 80 % 내지 99 % 인 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 클러스터 이온은, 2 개 내지 10 개의 원자로 구성된 클러스터 이온의 비율이 90 % 이상인 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 입자 또는 상기 금속 박막은, 금(Au), 은(Ag) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 입자를 포함하는 타겟을 준비하는 단계는,금속 나노 입자를 포함하는 용액을 기판 위에 증착하는 단계를 포함하는 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 박막을 포함하는 타겟을 준비하는 단계는,기상 증착법을 이용하여 기판 위에 금속 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제5항 또는 제6항에 있어서,상기 증착하는 단계는, 필요로 하는 상기 금속 클러스터 이온의 발생 요구 시간에 따라 증착되는 금속 입자의 양 또는 금속 박막의 두께를 조절하는 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제1항에 있어서,비스무스 이온(Bi3+) 빔을 상기 타겟의 상기 금속 입자 또는 상기 금속 박막에 조사하여 불연속적 크기 분포를 가지는 금속 클러스터 이온을 형성하는 단계; 전에, 상기 금속 입자 또는 상기 금속 박막 표면에 아르곤 클러스터 이온(Arn+) 빔을 조사하는 단계;를 더 포함하는 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 아르곤 클러스터 이온(Arn+) 빔은, 상기 금속 입자 표면의 불순물 및 유기 리간드를 제거하는 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 아르곤 클러스터 이온(Arn+) 빔은, 원자 수가 10 개 내지 10000 개이고, 가속 에너지는 1 keV 내지 10 keV 인 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 입자는 금(Au)이고,상기 금속 클러스터 이온 중, Au3+ 및 Au5+ 이온의 합은 70 % 내지 99% 인 것인,불연속적 크기 분포를 가지는 클러스터 이온의 제조 방법
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