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(a) 기판에 포함된 트랜지스터와 연결된 금속 배선층들 사이에 층간 절연막으로서 형성된 절연층의 일부를 식각하고, 상기 식각된 절연층 상부에 제1 패시배이션층 및 하부 희생층을 증착하는 단계;(b) 상기 하부 희생층의 일부를 식각하여 상기 제1 패시배이션층을 노출시키고, 상기 제1 패시배이션층 상부에 상기 하부 희생층의 나머지를 매립하는 금속층을 형성하는 단계;(c) 상기 금속층을 가공하여 전자기계 소자를 형성하는 단계;(d) 상기 전자기계 소자의 활성영역을 형성하기 위해 상기 전자기계 소자의 상부에 제2 패시배이션층을 증착하는 단계; 및(f) 상기 제2 패시배이션층에 관통공을 형성하여 상기 하부 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 패시배이션층은상기 트랜지스터와 연결된 트랜지스터 금속 배선층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 패시배이션층은증기 HF 식각에 대한 내식성이 제1 기준 값 이상이고 상기 하부 희생층과 상기 증기 HF 식각에 대한 선택비가 제2 기준 값 이상인 알루미늄 산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는상기 하부 희생층의 중심부가 노출되도록 해당 중심부의 양단을 식각하는 단계; 및상기 노출된 하부 희생층의 중심부를 둘러싸도록 상기 제1 패시배이션층의 상부에 상기 금속층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는상기 하부 희생층의 나머지와 접촉하는 상기 금속층의 상부 영역을 패터닝하거나 이온 빔 가공하여 동일 수직평면 상에서 상기 제1 패시배이션층과 이격되는 도전성 빔 라인 및 상기 도전성 빔 라인의 양측에서 상호 대향하는 전극들을 포함하는 상기 전자기계 소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (d) 단계는(d-1) 상기 전자기계 소자의 상부에 상부 희생층을 증착하여 상기 상부 희생층과 상기 하부 희생층이 접촉되도록 하는 단계; 및(d-2) 상기 상부 희생층의 일부를 식각하고 상기 상부 희생층의 나머지가 매립되도록 상기 상부 희생층 상에 상기 제2 패시배이션층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 (f) 단계는상기 관통공을 통해 상기 상부 및 하부 희생층들을 식각하여 상기 전자기계 소자가 기계적으로 스위치하기 위한 상기 활성영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 (f) 단계는증기 HF 식각 공정을 통해 상기 활성영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제1항에 있어서,(g) 상기 제2 패시배이션층의 상부에 차폐층을 증착하여 상기 하부 희생층의 제거를 통해 형성된 상기 활성영역을 진공 또는 공공 상태로 패키징하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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제10항에 있어서, 상기 (g) 단계는상기 활성영역 내부로 상기 차폐층의 구성 물질이 유입되지 않도록 스푸터링 공정을 통해 제3 기준 값 이상의 증착 속도로 상기 차폐층을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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(a) 기판에 포함된 트랜지스터와 연결된 금속 배선층들 사이에 층간 절연막으로서 형성된 절연층의 일부를 식각하고, 상기 식각된 절연층의 상부에 제1 패시배이션층 및 하부 희생층을 증착하고, 상기 하부 희생층의 상부에 전자기계 소자를 형성하는 단계;(b) 상기 전자기계 소자의 상부에 상기 하부 희생층과 접촉하는 상부 희생층을 증착하고, 상기 상부 희생층의 상부에 제2 패시배이션층을 증착하는 단계; 및(f) 상기 제2 패시배이션층에 관통공을 형성하고, 상기 관통공을 통해 상기 상부 및 하부 희생층들을 제거하여 상기 전자기계 소자의 활성영역을 형성하는 단계를 포함하는 전기기계 소자 패키지 제조 방법
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트랜지스터 및 상기 트랜지스터와 연결된 금속 배선층들을 포함하는 기판;상기 금속 배선층들 사이에 층간 절연막으로서 형성된 절연층의 일부가 식각된 영역 상에 형성되고, 상기 기판의 상부에서 상기 기판에 기 형성되었던 희생층을 제거하여 상기 기판을 이격시킨 활성영역에 형성된 도전성 빔 라인과 상기 도전성 빔 라인의 양측에서 상호 대향하는 전극들로 구성되어 기계적으로 스위치되는 전자기계 소자를 포함하는 금속층; 및상기 금속층의 하부 및 상부에 형성되어 상기 금속층을 매립시키는 제1 및 제2 패시베이션층들을 포함하는 전기기계 소자 패키지
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