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테라헤르츠파를 생성하는 테라헤르츠파 생성부;내부에 제 2 홀을 포함하여 링 형상을 가지며, 링빔을 검사 대상 물체로 집광시키는 링빔 집광부; 및상기 테라헤르츠파 생성부 및 상기 링빔 집광부 사이에 배치되고, 상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파를 2개의 외면에서 서로 다른 각도로 반사시켜 링 형태를 갖는 링(ring) 빔을 형성하는 제 1 엑시콘 미러 및, 상기 제 1 엑시콘 미러의 외면에 대응되는 경사진 반사면을 가지며 상기 제 1 엑시콘 미러로부터 반사된 링빔을 상기 링빔 집광부로 반사시키고, 상기 경사진 반사면에서 반사된 링빔은 상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파와 평행한 제 2 엑시콘 미러로 구성되는 링빔 형성부를 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 엑시콘 미러는,상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파의 경로상에 배치되는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 엑시콘 미러는,상기 테라헤르츠파 생성부 및 상기 제 1 엑시콘 미러 사이에 배치되고, 상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파가 통과하여 상기 제 1 엑시콘 미러에 입사되도록 내부에 제 1 홀이 구비되는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 엑시콘 미러는,상기 제 1 엑시콘 미러의 외면과 평행하게 형성된 반사면을 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 검사 대상 물체로부터 생성된 산란광을 검출하는 산란광 검출부를 더 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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7
제 6 항에 있어서,상기 산란광 검출부는,상기 링빔 집광부의 내부에 구비되고, 상기 검사 대상 물체로부터 반사되는 산란광을 검출하는 반사 산란광 검출부를 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 7 항에 있어서,상기 링빔 집광부는 내부에 제 2 홀을 포함하는 렌즈이고,상기 반사 산란광 검출부는,상기 제 2 홀에 배치되어, 검사 대상 물체로부터 반사되는 산란광을 검출하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 홀 및 상기 제 1 엑시콘 미러 사이에 기계적으로 연결되고, 상기 제 1 엑시콘 미러를 이동시켜 포커싱 위치를 가변시키는 이동부를 더 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 링빔 집광부는,상기 제 1 엑시콘 미러 및 검사대상물체의 사이에 배치되는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 6 항에 있어서,상기 산란광 검출부는,상기 검사 대상 물체로부터 투과되는 산란광을 검출하는 투과 산란광 검출부를 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 11 항에 있어서,상기 투과 산란광 검출부는,상기 검사 대상 물체를 투과한 링빔의 내부에 배치되는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 검사 대상 물체를 투과한 링빔을 검출하는 링빔 검출부를 더 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,상기 테라헤르츠 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파의 각도를 작게 변경시켜 상기 제 1 엑시콘 미러로 입사시키는 각도 변경부를 더 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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제 1 항에 있어서,제 2 엑시콘 미러의 크기는 제 1 엑시콘 미러의 크기보다 큰, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치
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내부에 제 2 홀을 포함하여 링 형상을 가지며, 링빔을 검사 대상 물체로 집광시키는 링빔 집광부; 및테라헤르츠파 생성부 및 상기 링빔 집광부 사이에 배치되고, 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파를 외면에서 반사시켜 링 형태를 갖는 링(ring) 빔을 형성하는 제 1 엑시콘 미러 및, 상기 제 1 엑시콘 미러의 외면에 대응되는 경사진 반사면을 가지며 상기 제 1 엑시콘 미러로부터 반사된 링빔을 상기 링빔 집광부로 반사시키고, 상기 경사진 반사면에서 반사된 링빔은 상기 테라헤르프파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파와 평행한 제 2 엑시콘 미러로 구성되는 링빔 형성부를 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치용 광헤드
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제 16 항에 있어서,상기 제 1 엑시콘 미러는,상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파의 경로상에 배치되는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치용 광헤드
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제 16 항에 있어서,상기 제 2 엑시콘 미러는,상기 테라헤르츠파 생성부 및 상기 제 1 엑시콘 미러 사이에 배치되고, 상기 테라헤르츠파 생성부로부터 입사되는 테라헤르츠파가 통과하여 상기 제 1 엑시콘 미러에 입사되도록 내부에 제 1 홀이 구비되는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치용 광헤드
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제 16 항에 있어서,상기 제 2 엑시콘 미러는,상기 제 1 엑시콘 미러의 외면과 평행하게 형성된 반사면을 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치용 광헤드
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제 16 항에 있어서,상기 검사 대상 물체로부터 생성된 산란광을 검출하는 산란광 검출부를 더 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치용 광헤드
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제 21 항에 있어서,상기 산란광 검출부는,상기 링빔 집광부의 내부에 구비되고, 상기 검사 대상 물체로부터 반사되는 산란광을 검출하는 반사 산란광 검출부를 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치용 광헤드
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제 16 항에 있어서,상기 링빔 집광부의 내부 및 상기 제 1 엑시콘 미러 사이에 기계적으로 연결되고, 상기 제 1 엑시콘 미러를 이동시켜 포커싱 위치를 가변시키는 이동부를 더 포함하는, 링빔을 이용한 고분해능 검사 장치용 광헤드
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