| 1 |
1
소스기판의 상면 중 사전설정된 영역을 제외한 잔여 영역을 표면처리하는 제1표면처리 단계;소스기판의 상면 중 사전설정된 영역 상에 기능층을 위치시키는 단계;기능층을 덮으며 소스기판의 상면 중 표면처리된 부분까지 덮도록 전사막을 위치시키는 단계;전사막의 하면에 기능층이 밀착된 상태로, 전사막으로부터 소스기판을 제거하는 단계;전사막의 하면에 기능층이 밀착된 상태로, 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및타겟기판 상에 기능층이 위치한 상태에서 타겟기판으로부터 전사막을 제거하는 단계;를 포함하는, 전자장치 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1표면처리 단계는, 소수성처리하는 단계인, 전자장치 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 전사막을 위치시키는 단계는, 전사막용 물질을 소스기판 상에 코팅하는 것을 포함하는 단계인, 전자장치 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계 이전에, 타겟기판의 상면 중 사전설정된 영역을 제외한 잔여 영역을 표면처리하는 제2표면처리 단계를 더 포함하는, 전자장치 제조방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 제2표면처리 단계는, 소수성처리하는 단계인, 전자장치 제조방법
|
| 6 |
6
제4항에 있어서,상기 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계는, 전사막의 하면에 밀착된 기능층이 타겟기판의 상면 중 사전설정된 영역 내에 위치하도록 하는 단계인, 전자장치 제조방법
|
| 7 |
7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,기능층은,튜브, 와이어 또는 막대 형태를 포함하는, 1차원 마이크로 소재층 또는 1차원 나노 소재층; 또는그래핀, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide), 육각붕화질소 또는 흑린을 포함하는, 2차원 마이크로 소재층 또는 2차원 나노 소재층;을 포함하는, 전자장치 제조방법
|
| 8 |
8
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함하는, 전자장치 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
소스기판의 상면 중 사전설정된 영역을 제외한 잔여 영역을 표면처리하는 제1표면처리 단계;소스기판의 상면 중 사전설정된 영역 상에 기능층을 위치시키는 단계;기능층을 덮으며 소스기판의 상면 중 표면처리된 부분까지 덮도록 전사막을 위치시켜 전사막과 소스기판의 상면 중 표면처리된 부분을 접촉시키는 단계;전사막의 하면에 기능층이 밀착된 상태로, 전사막으로부터 소스기판을 제거하는 단계;전사막의 하면에 기능층이 밀착된 상태로, 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및타겟기판 상에 기능층이 위치한 상태에서 타겟기판으로부터 전사막을 제거하는 단계;를 포함하는, 전자장치 제조방법
|
