| 1 |
1
산화티타늄을 포함하는 광촉매이며, 상기 산화티타늄은 탄소가 도핑되어 있고, 그 내부에는 5nm 내지 50nm의 크기를 가지는 기공(pore)을 포함하며, 근적외선 파장을 흡수하여 자외선 대역 또는 가시광선 대역의 파장을 방출하는 상향변환 나노입자가 상기 기공 내에 존재하는,산화티타늄 기반 광촉매 복합체
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 상향변환 나노입자는 호스트 및 상기 호스트에 도핑된 도핑물질을 포함하며, 상기 호스트로는 LiYF4, NaY, NaYF4, NaGdF4 및 CaF3 중 어느 하나 이상이 선택되고상기 도핑물질로는 Sm3+, Nd3+, Dy3+, Ho3+ 및 Yb3+, Er3+, Ho3+, Tm3+ 및 Eu3+, Gd3+ 중에서 어느 하나 이상이 선택되는,산화티타늄 기반 광촉매 복합체
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 상향변환 나노입자는 β-NaYF4: Yb3+,Tm3+,Gd3+ 입자를 포함하는, 산화티타늄 기반 광촉매 복합체
|
| 4 |
4
산화티타늄 졸-겔(sol-gel) 전구체, 자기조립 블록공중합체 미셀 용액 및 근적외선 파장을 흡수하여 자외선 대역 또는 가시광선 대역 파장을 방출하는 상향변환 나노입자가 혼합된 용액을 준비하는 단계; 상기 용액을 소정의 기판에 코팅하여 산화티타늄을 포함하는 자기조립 블록공중합체 템플레이트를 형성하는 단계; 및상기 자기조립 블록공중합체 템플레이트의 경화처리 및 열처리를 수행하여 산화티타늄을 포함하는 광촉매 복합체를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 경화처리 및 열처리 단계에서는, 자기조립 블록공중합체가 제거되면서 상기 산화티타늄의 내부에 5nm 내지 50nm의 크기를 가지는 기공이 형성되는 단계와, 상기 자기조립 블록공중합체의 탄소화에 의해 생성된 탄소가 상기 산화티타늄에 도핑되는 단계가 포함되며,상기 기공 내에 상기 상향변환 나노입자가 존재하게 되는, 산화티타늄 기반 광촉매 복합체를 제조하는 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 산화티타늄 졸-겔(sol-gel) 전구체는, 산화티타늄 전구체가 용해된 용액에 강산을 첨가하여 제조한 것이며, 상기 산화티타늄 전구체는 티타늄 테트라 이소프로포옥사이드(Titanium tetra iso-propoxide), 테트라부톡사이드(titanium tetrabutoxide), 티타늄 알콕사이드(titanium alkoxide) 중 어느 하나 이상을 포함하는, 산화티타늄 기반 광촉매 복합체를 제조하는 방법
|
| 6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 자기조립 블록공중합체 미셀 용액는 폴리에틸렌옥사이드-블록-폴리프로필렌옥사이드-블록-폴리에틸렌옥사이드(Polyethylene oxide-b-Polypropylene oxide-b-Polyethylene oxide, P123) 또는 폴리(스티렌-블록-에틸렌 옥시드) (Poly(styrene-b-ethylene oxide, PS-b-PEO) 중 적어도 하나의 블록에 선택적으로 용해되는 용매를 사용하여 제조한 것인, 산화티타늄 기반 광촉매 복합체를 제조하는 방법
|
| 7 |
7
제 4 항에 있어서,상기 상향변환 나노입자는 호스트 및 상기 호스트에 도핑된 도핑물질을 포함하며, 상기 호스트로는 LiYF4, NaY, NaYF4, NaGdF4 및 CaF3 중 어느 하나 이상이 선택되고상기 도핑물질로는 Sm3+, Nd3+, Dy3+, Ho3+ 및 Yb3+, Er3+, Ho3+, Tm3+ 및 Eu3+, Gd3+ 중에서 어느 하나 이상이 선택되는,산화티타늄 기반 광촉매 복합체를 제조하는 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 상향변환 나노입자는 β-NaYF4: Yb3+,Tm3+,Gd3+ 입자를 포함하는, 산화티타늄 기반 광촉매 복합체를 제조하는 방법
|
| 9 |
9
제 4 항에 있어서,상기 경화처리는 진공 중에서 상기 자기조립 블록공중합체 템플레이트이 표면에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는, 산화티타늄 기반 광촉매 복합체를 제조하는 방법
|
| 10 |
10
제 4 항에 있어서,상기 열처리는 비활성 기체 분위기 중 상기 자기조립 블록공중합체의 탄화온도 이상에서 수행되는, 산화티타늄 기반 광촉매 복합체를 제조하는 방법
|
