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금속 나노 입자가 표면에 형성된 실리콘 기판을 준비하는 단계; 및상기 금속 나노 입자에 기체 클러스터 이온 빔을 조사하여 식각하는 단계;를 포함하고,상기 조사되는 기체 클러스터 이온 빔은, 10 내지 10000개의 원자로 구성된 클러스터 이온을 포함하고, 가속 에너지는 1 keV 내지 10 keV 인 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자는, 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt) 로 이루어진 귀금속 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기체 클러스터 이온 빔은, 아르곤(Ar) 클러스터 이온을 포함하는 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각하는 단계는, 기체 클러스터 이온 빔의 클러스터에 포함되는 원자의 수를 조절하여 조사하는 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 기체 클러스터 이온 빔의 클러스터의 크기는,상기 촉매의 식각 정밀도에 비례하는 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각하는 단계는, 상기 기체 클러스터 이온 빔의 클러스터의 크기에 따라 식각 속도를 제어하며 수행되는 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각하는 단계는, 용액을 사용하지 않는 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 식각하는 단계를 복수 회 실시하는 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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제1항에 있어서,사전 설계에 따라 상기 금속 나노 입자의 형태를 디자인하는 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매 제조 방법
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금속 나노 입자가 표면에 형성된 실리콘 기판을 포함하고,상기 금속 나노 입자는 기체 클러스터 이온의 충돌에 의해 식각된 것인, 기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매
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제11항에 있어서,상기 나노 구조 촉매는 제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항의 제조방법을 이용하여 제조한 것인,기체 클러스터 이온 빔을 이용한 나노 구조 촉매
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