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원자층 연마 방법 및 이를 위한 연마 장치

  • 기술번호 : KST2019004720
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 시재의 표면을 스캔하여 상기 시재 표면의 피크 위치를 측정하는 단계; 상기 시재의 재료의 성분인 제1원자와 결합할 수 있는 원소를 포함하는 가스를 상기 측정된 피크의 위치를 향하여 분사하여 상기 피크의 표면에 상기 제1 반응가스가 상기 제1원자와 결합한 제1반응가스층을 형성하는 단계; 및 상기 제1반응가스층이 증착된 상기 피크 위치에 불활성 가스의 이온을 조사하여 상기 제1반응가스와 결합된 상기 제1원자를 상기 시재로부터 분리시키는 단계를 포함하는, 원자층 연마 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/3105 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 21/31051(2013.01) H01L 21/31051(2013.01) H01L 21/31051(2013.01) H01L 21/31051(2013.01) H01L 21/31051(2013.01)
출원번호/일자 1020170144433 (2017.11.01)
출원인 한국기초과학지원연구원
등록번호/일자 10-2016927-0000 (2019.08.27)
공개번호/일자 10-2019-0049026 (2019.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20191021) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.01)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최용섭 전라북도 군산시
2 이강일 전라북도 군산시
3 석동찬 전라북도 군산시
4 장수욱 세종특별자치시 달빛*로 **,
5 김종식 전라북도 군산시 수송로 **, *
6 유승열 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기초과학지원연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-1082481-51
2 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2019.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0009369-60
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0109158-88
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0371371-84
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-0371370-38
6 등록결정서
Decision to grant
2019.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0607110-45
7 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.09.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5029676-54
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2020-5135881-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 다른 두 원소를 포함하는 시재의 표면을 스캔하여 상기 시재 표면의 피크 위치를 측정하는 단계;상기 시재의 재료의 성분인 제1원자와 결합할 수 있는 가스로서 상기 제1원자 이외의 다른 원자보다 상기 제1원자와 결합율이 높은 제1 반응가스를 상기 측정된 피크의 위치를 향하여 분사하여 상기 피크의 표면에 상기 제1 반응가스가 상기 제1원자와 결합한 제1반응가스층을 형성하는 단계;상기 제1반응가스층이 증착된 상기 피크 위치에 에너지를 가하여 상기 제1반응가스와 결합된 상기 제1원자를 상기 시재로부터 분리시키는 단계;상기 제1반응가스와 반응할 수 있는 가스의 플라즈마를 조사하여 상기 시재에 남아 있는 제1반응가스층을 제거하는 단계;상기 시재의 재료의 성분인 제2원자와 결합가능한 가스로서 상기 제2 원자 이외의 다른 원자보다 상기 제2원자와 결합율이 높은 제2 반응가스를 상기 측정된 피크의 위치를 향하여 분사하여 상기 피크의 표면에 상기 제2 반응가스가 상기 제2원자와 결합한 제2반응가스층을 형성하는 단계; 및상기 제2반응가스층이 증착된 상기 피크 위치에 에너지를 가하여 상기 제2반응가스와 결합된 상기 제2원자를 상기 시재로부터 분리시키는 단계를 포함하는,원자층 연마 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1반응가스층의 형성단계부터 상기 제2 원자의 분리단계를 반복하여 평탄화 정도를 증가시킴을 포함하는, 원자층 연마 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2원자를 분리하는 단계 이후에, 상기 제2 반응가스와 반응할 수 있는 가스의 플라즈마를 조사하여, 상기 시재에 남아 있는 제2반응가스층을 제거하는 단계를 포함하는,원자층 연마 방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반응가스는 상기 제1 및 제2 원자와 각각 결합하여 휘발성 기체를 형성할 수 있는 가스임을 특징으로 하는,원자층 연마 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 에너지를 가함은 불활성 가스의 이온을 조사함을 특징으로 하는,원자층 연마 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 불활성가스의 이온의 조사는 스퍼터링되지 않을 정도의 에너지로 이뤄짐을 특징으로 하는,원자층 연마 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 불활성가스의 이온의 조사 에너지는, 1~100 eV 임을 특징으로 하는,원자층 연마 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 불활성가스는 아르곤, 헬륨 및 제논 중 어느 하나를 포함하는 가스인,원자층 연마 방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 에너지를 가함은 전자를 조사함을 특징으로 하는, 원자층 연마 방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 에너지를 가함은 빛에너지를 조사함을 특징으로 하는,원자층 연마 방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 에너지는 불활성 가스의 중성입자를 조사함을 특징으로 하는,원자층 연마 방법
15 15
제1항에 있어서, 상기 시재의 제1원자 또는 제2원자와 결합된 반응가스만 남기도록 상기 제1반응가스층 또는 제2반응가스층의 형성 후, 챔버를 배기시키는 단계를 포함하는,원자층 연마 방법
16 16
제1항의 원자층 연마 방법에 의한 실리콘 카바이드 평탄화 방법으로서,상기 시재는 실리콘 카바이드이며, 상기 제1반응가스는 불소를 포함하는 가스이며,상기 제2반응가스는 산소인,실리콘 카바이드 평탄화 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 불소를 포함하는 가스에 의한 단계를 시작으로 상기 산소에 의한 단계를 수행함을 특징으로 하는,실리콘 카바이드 평탄화 방법
18 18
제1항의 원자층 연마를 위한 장치로서,상기 시재가 위치하는 챔버;상기 챔버 내부를 진공상태로 유지하거나, 상기 시재의 원자와 결합된 상기 제1 및 제2 반응가스만 남기도록 상기 제1 및 제2 반응가스층의 형성 후 챔버를 배기시키도록 구성된 펌프를 포함하고,상기 시재의 표면을 스캔하여 상기 시재 표면의 피크 위치를 측정하는 시재스캔부; 및상기 시재의 표면을 향하여, 상기 제1 및 제2 반응가스 및 상기 에너지를 전달하도록 구성된 분사부로서, 상기 분사부는 상기 시재에 남아 있는 제1 및 제2 반응가스층을 제거하기 위한 상기 제1 및 제2 반응가스들과 반응할 수 있는 가스의 플라즈마를 조사하는 수단을 포함하는 분사구를 포함하는,원자층 연마를 위한 장치
19 19
제18항에 있어서,상기 분사부는 에너지 전달 노즐 및 상기 제1 및 제2 반응가스를 분사하는 분사노즐을 포함하는,원자층 연마를 위한 장치
20 20
삭제
21 21
제18항에 있어서,상기 분사부는 상기 피크 위치로 이동하기 위해, x축, y축, 및 z축을 따라서 이동가능하며, 수직 방향을 기준으로 θ 각도로 기울어질 수 있도록 구성됨을 특징으로 하는,원자층 연마를 위한 장치
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1 미래창조과학부 국가핵융합연구소 국가핵융합연구소 연구운영비지원사업 플라즈마/이온빔 가공 공정기술 개발