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(a) 전이금속 전구체, 텔루륨(Te) 전구체 및 이온성 액체를 포함하는 전구체 용액을 전도성 기판 상에 코팅하여 전구체 용액이 코팅된 전도성 기판을 제조하는 단계; (c) 상기 전도성 기판 상에 코팅된 전구체 용액을 커버 부재로 덮는 단계; 및 (b) 상기 전구체 용액이 코팅된 전도성 기판에 마이크로파를 조사하여 상기 전도성 기판 상에 전이금속 텔루라이드 박막을 제조하는 단계; 를 포함하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서 상기 전이금속 텔루라이드 박막은 전이금속 텔루라이드 결정의 핵이 상기 전도성 기판의 표면에서 생성되고 상기 표면에서 상기 전이금속 텔루라이드 결정이 성장하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서 상기 전이금속 텔루라이드 박막의 두께가 상기 전구체 용액 내의 전구체 농도를 조절함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제3항에 있어서,단계 (b)에서 상기 전이금속 텔루라이드 박막의 두께가 전이금속 텔루라이드 결정 단일층이 복수 겹 적층됨으로써 점차 두꺼워지는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서 상기 전도성 기판의 온도가 전구체의 열분해 온도보다 높고 상기 전구체 용액의 온도가 전구체의 열분해 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 마이크로파의 세기가 10 내지 1,000W인 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 마이크로파가 10초 내지 600초 동안 상기 전도성 기판에 조사되는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 전구체가 몰리브데늄 전구체 및 텅스텐 전구체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 몰리브데늄 전구체가 몰리브데늄 클로라이드(MoCl5), 소디움몰리브데이트 (Na2MoO4), 암모늄 테트라티오몰리브데이트((NH4)2MoS4), 암모늄몰리브데이트((NH4)6Mo7O274H2O) 및 몰리브데늄 트리옥사이드(MoO3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 텅스텐 전구체가 텅스텐 클로라이드(WCl4), 소디움 텅스테이트(Na2WO4), 암모늄 테트라티오텅스테이트((NH4)2WS4), 암모늄 텅스테이트((NH4)10H2(W2O7)6), 텅스텐 트리옥사이드(WO3) 및 텅스텐 클로라이드(WCl4)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 텔루륨(Te) 전구체는 텔루륨 테트라클로라이드(TeCl4), 텔루릭애시드(Te(OH)6), 소듐텔루라이트(Na2TeO3) 및 텔루륨 다이옥사이드(TeO2), 및 텔루륨테트라클로라이드(TeCl4)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체가 BMIM-BF4(1-Butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), EMIM-BF4(1-Ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), EMIM-TFSI(1-Ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), EMIM-TCB(1-Ethyl-3-Methylimidazolium Tetracyanoborate), EMIM-SO4(1-Ethyl-3-Methylimidazolium sulfate), DMIM-BF4(1,3-dimethylimidazolium tetrafluoroborate) 및 DMIM-TFSI(1,3-dimethylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (a) 전에, 상기 기판에 산소 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전도성 기판이 p-도핑 실리콘 웨이퍼, ITO, FTO 및 그래핀(Graphene) 이 표면에 전사된 실리콘 웨이퍼로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 커버 부재가 유리, 실리콘 웨이퍼, 사파이어 기판, 마이카 기판, ITO 및 FTO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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제1항에 있어서, 단계 (b) 후에, 상기 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법이 상기 전이금속 텔루라이드 박막 상에 잔류하는 상기 이온성 액체를 제거하는 단계 (d);를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전이금속 텔루라이드 박막의 제조방법
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(a) 전이금속 전구체, 텔루륨(Te) 전구체 및 이온성 액체를 포함하는 전구체 용액을 전도성 기판 상에 코팅하여 전구체 용액이 코팅된 전도성 기판을 제조하는 단계; (a') 상기 전도성 기판 상에 코팅된 전구체 용액을 커버 부재로 덮는 단계;(b) 상기 전구체 용액이 코팅된 전도성 기판에 마이크로파를 조사하여 상기 전도성 기판 상에 전이금속 텔루라이드 박막을 제조하는 단계;(c) 상기 전이금속 텔루라이드 박막을 기재에 전사하여 전이금속 텔루라이드 박막/기재를 제조하는 단계; 및(d) 상기 전이금속 텔루라이드 박막/기재의 전이금속 텔루라이드 박막상에 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 전자소자의 제조방법
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제18항에 있어서,상기 전자소자가 트랜지스터, 광검출소자 및 스핀트로닉 소자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
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