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저차원 물질을 위한 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2019004745
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저차원 물질의 표면처리를 통하여 고기능화를 위한 표면처리기술에 대한 것이다. 이를 위해, 플라즈마를 이용한 저차원 물질의 표면처리 방법에 있어서, 전원을 공급하여 전극을 형성할 수 있는 복수개의 그리드를 표면처리를 위한 대상물질의 표면상에 배치하고 이를 이용하여 면저항이 높은 저차원 물질의 표면에 도핑할 수 있는 것을 특징으로 하는 저차원 물질을 위한 표면처리 방법을 제공하게 된다. 본 발명은 플라즈마를 이용한 저차원 물질의 표면처리 방법에 있어서, 전원을 공급하여 전극을 형성할 수 있는 복수개의 그리드를 표면처리를 위한 대상물질의 표면상에 배치하고 이를 이용하여 면저항이 높은 저차원 물질의 표면에 도핑할 수 있는 것을 특징으로 하는 저차원 물질을 위한 표면처리 방법을 제공한다. 또한 본 발명은 대상물질의 표면에 그리드를 배치하는 단계(S10); 배치된 그리드를 이격시키는 단계(S20); 및 이격된 그리드에 전원을 공급하는 단계(S40)로 구성되는 것을 특징으로 하는 저차원 물질을 위한 표면처리 방법을 제공한다. 또한 본 발명은 상기 배치된 그리드를 이격시키는 단계(S20) 후 저차원 물질의 종류에 따라 그리드의 이격거리를 조절하는 단계(S30)가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 저차원 물질을 위한 표면처리 방법을 제공한다. 또한 본 발명은 상기 그리드는 대상물질의 표면에 2개 또는 그 이상의 그리드를 적층하여 배치한 후 각각의 그리드를 이격시켜 거리를 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 저차원 물질을 위한 표면처리 방법을 제공한다. 또한 본 발명은 상기 그리드는 매쉬망형상 또는 평판형상의 그리드에 타공한 형상 및 복수개의 라인을 동일 평면상에 배치하는 형태 중 하나인 것을 특징으로 하는 저차원 물질을 위한 표면처리 방법을 제공한다. 또한 본 발명은 상기 전압의 값은 1v ~ 30v의 범위에서 공급하게 되는 것을 특징으로 하는 저차원 물질을 위한 표면처리 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01) H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020170142026 (2017.10.30)
출원인 대전대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0047785 (2019.05.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대전대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경남 경기도 수원시 장안구
2 오광진 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 길준연 대한민국 대전광역시 서구 둔산중로 ***, ***호 길국제특허법률사무소 (둔산동, 주은오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대전대학교 산학협력단 대전광역시 동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1068822-09
2 보정요구서
Request for Amendment
2017.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0161293-19
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2017.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-1114112-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0027391-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0194012-03
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0496934-21
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0496797-62
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0689276-15
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2019.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-1149338-14
11 법정기간연장승인서
2019.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0181064-19
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-1272689-76
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.12.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1272660-53
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0014888-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마를 이용한 저차원 물질인 그래핀의 표면처리 방법에 있어서,대상물질인 그래핀의 표면에 2개의 그리드를 배치하는 단계(S10);배치된 그리드를 이격시키는 단계(S20); 및 이격된 그리드에 전원을 공급하는 단계(S40)를 포함하되,상기한 2개의 그리드에서 하부의 그리드는 접지되고 상부의 그리드는 전압이 인가되며,이격된 2개의 그리드는 전원이 병렬연결되어 인가되며,상기 배치된 그리드를 이격시키는 단계(S20) 후 저차원 물질인 그래핀의 종류에 따라 그리드의 이격거리를 조절하는 단계(S30)가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 저차원 물질인 그래핀의 표면처리 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,이격된 그리드에 전원을 공급하는 단계(S40)에서의 전압의 값은 1v ~ 30v인 것을 특징으로 하는 저차원 물질인 그래핀의 표면처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.