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공정 챔버로 공급되는 공정 가스의 유량을 제어하기 위한 질량 유량 제어기로서, 상기 질량 유량 제어기로 유입되는 공정 가스의 유입 유량과 미리 설정된 설정 유량 사이의 차이를 보정하기 위한 보정 신호에 따라 상기 질량 유량 제어기로부터 유출되는 유출 유량을 조절하도록 구성된 상기 질량 유량 제어기;상기 공정 챔버 내의 압력을 측정하기 위한 센서부;상기 공정 챔버로부터 배기되는 배기 가스의 배기 속도를 조절하도록 구성된 배기 밸브; 및상기 보정 신호, 상기 센서부에서 측정된 상기 압력 및 상기 배기 밸브의 상기 배기 속도를 기반으로 상기 질량 유량 제어기의 결함을 검출하도록 구성된 모니터링 장치;를 포함하는 반도체 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 질량 유량 제어기는,상기 유입 유량을 측정하고, 상기 유입 유량에 대응하는 신호를 생성하는 유량 센서와,상기 유입 유량에 대응하는 신호 및 상기 설정 유량에 대응하는 신호를 기반으로 상기 보정 신호를 생성하고, 상기 보정 신호를 상기 모니터링 장치로 전송하는 제어부와,상기 보정 신호에 따라 상기 유출 유량을 조절하는 밸브부를 포함하는 반도체 제조 장치
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제 2 항에 있어서,상기 모니터링 장치는 상기 유량 센서의 결함 및 상기 밸브부의 결함 중 적어도 하나를 검출하도록 구성된 반도체 제조 장치
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제 3 항에 있어서,상기 모니터링 장치는 상기 보정 신호가 변할 때 상기 센서부에서 측정된 상기 압력 및 상기 배기 속도 중 적어도 하나가 변하는 경우, 상기 유량 센서에 결함이 발생된 것으로 판단하도록 구성된 반도체 제조 장치
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제 3 항에 있어서,상기 모니터링 장치는 상기 보정 신호가 일정할 때 상기 센서부에서 측정된 상기 압력 및 상기 배기 속도 중 적어도 하나가 변하는 경우, 상기 밸브부에 결함이 발생된 것으로 판단하도록 구성된 반도체 제조 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 모니터링 장치는 상기 질량 유량 제어기에 결함이 발생된 시점을 검출하도록 구성된 반도체 제조 장치
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제 2 항에 있어서,상기 제어부는,상기 설정 유량에 대응하는 신호와 상기 유량 센서에서 측정된 상기 유입 유량에 대응하는 신호 사이의 차이에 대응하는 전압값 또는 전류값을 가지는 상기 보정 신호를 생성하는 처리부와,상기 처리부로부터 인가된 상기 보정 신호에 따라 상기 밸브부의 구동을 제어하는 구동 회로를 포함하는 반도체 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 배기 밸브는 개방 각도(open angle)를 조절하여 상기 배기 속도를 조절하는 버터플라이 밸브(butterfly valve)로 구성되고, 상기 개방 각도를 상기 모니터링 장치로 전송하도록 구성된 반도체 제조 장치
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제 1 항에 있어서,상기 질량 유량 제어기는 상기 유입 유량을 측정하는 유량 센서 및 상기 보정 신호에 따라 상기 유출 유량을 조절하는 밸브부를 포함하고,상기 모니터링 장치는 상기 유입 유량에 대응하는 신호 및 상기 설정 유량에 대응하는 신호를 기반으로 상기 보정 신호를 생성하고, 상기 보정 신호를 상기 질량 유량 제어기로 전송하도록 구성된 반도체 제조 장치
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기판을 처리하기 위한 처리 공간을 제공하는 공정 챔버;상기 공정 챔버로 공급되는 공정 가스의 유량을 제어하기 위한 질량 유량 제어기;상기 공정 챔버 내의 압력을 측정하기 위한 센서부;상기 공정 챔버로부터 배기되는 배기 가스의 배기 속도를 조절하도록 구성된 배기 밸브; 및상기 센서부에서 측정된 상기 공정 챔버 내의 압력 및 상기 배기 밸브의 배기 속도를 기반으로 상기 공정 챔버로 공급되는 공정 가스의 유량을 검출하도록 구성된 모니터링 장치;를 포함하는 반도체 제조 장치
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