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CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법 및 그 전자소자

  • 기술번호 : KST2019004871
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법 및 그 전자소자가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법은 1차원 섬유기판에 탄소나노튜브를 코팅하여 CNT(Carbonnanotube) 박막을 형성하는 단계, 상기 CNT 박막에 자외선을 조사하여 복수의 제1형 채널을 패터닝하는 단계, 상기 복수의 제1형 채널중 적어도 하나에 제2형 도펀트를 도핑(doping)하여 제2형 채널로 변환하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 27/30 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 27/304(2013.01) H01L 27/304(2013.01) H01L 27/304(2013.01)
출원번호/일자 1020170145783 (2017.11.03)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2024133-0000 (2019.09.17)
공개번호/일자 10-2019-0050408 (2019.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20191104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성규 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-1092041-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0116897-08
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0060015-58
6 출원심사처리보류통지서
Notice of Deferment of Processing of Application Examination
2018.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0785354-63
7 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0139913-24
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0842234-64
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0119790-56
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0193692-04
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2019-0193691-58
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0537002-47
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0863832-82
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.08.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0863833-27
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0650899-36
18 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5032390-73
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번호 청구항
1 1
1차원 섬유기판에 탄소나노튜브를 코팅하여 CNT(Carbonnanotube) 박막을 형성하는 단계;상기 CNT 박막에 자외선을 조사하여 복수의 제1형 채널을 패터닝하는 단계; 및상기 복수의 제1형 채널중 적어도 하나에 제2형 도펀트를 도핑(doping)하여 제2형 채널로 변환하는 단계;를 포함하되, 상기 1차원 섬유기판의 1차원 섬유는 광섬유이고,상기 복수의 제1형 채널을 패터닝하는 단계는, 소스 전극 및 드레인 전극의 위치를 제외한 나머지 영역에 마스크를 얼라인하는 단계; 및상기 마스크가 얼라인된 CNT 박막에 자외선을 조사하여, 상기 마스크 영역을 제1형 채널로 활성화시키고,상기 복수의 제1형 채널중 적어도 하나에 제2형 도펀트를 도핑(doping)하여 제2형 채널로 변환하는 단계는,상기 제1형 채널로 활성화된 복수의 제1형 채널 중 적어도 하나에 N-DMBI 도펀트로 도핑하여 상기 제1형 채널을 상기 제2형 채널로 변환시키고,상기 N-DMBI는 DMBI를 메탄올에 용해시키고 실온에서 30분 동안 교반하여 제조된 용액인 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 1차원 섬유기판은, 상기 광섬유상에 적층되어 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부에 증착되어 형성되는 게이트 절연체; 및상기 게이트 절연체 상부에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 게이트 절연체의 표면에는 산소 플라즈마 처리에 의해 하이드록실기(hydroxyl group)가 형성되고, 상기 하이드록실기는 탄소나노튜브의 코팅율을 높이는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 CNT 박막을 형성하는 단계는, 릴-투-릴(reel-to-reel) 기반의 딥코팅(Dip coating)으로 상기 1차원 섬유기판에 탄소나노튜브를 코팅하여, 상기 1차원 섬유기판을 끌어올리는(withdrawing) 방향으로 탄소나노튜브가 일정하게 배열되도록 하는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 CNT 박막을 형성하는 단계 이후, 상기 CNT 박막을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법
6 6
제2항에 있어서, 상기 복수의 제1형 채널을 패터닝하는 단계는, 상기 마스크 영역의 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1형 채널은 p형 채널이고, 상기 제2형 채널은 n형 채널이며, 상기 제2형 채널로 변환하는 단계는,상기 복수의 제1형 채널 중에서 적어도 하나의 채널에 n형 도펀트를 인쇄하여 해당 채널을 n형 채널로 변환하는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1형 채널은 p형 채널이고, 상기 제2형 채널은 n형 채널이며, 상기 제2형 채널로 변환하는 단계는,상기 복수의 제1형 채널 중에서 적어도 하나를 보호층(passivation layer)으로 설정하는 단계;상기 설정된 보호층 상에 PMMA(poly(methylmethacrylate)를 코팅하는 단계; 및상기 PMMA가 코팅된 기판을 n형 도펀트에 딥 코팅하여 상기 PMMA가 코팅된 p형 채널을 제외한 나머지 채널을 n형 채널로 변환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 1차원 섬유 기반 전자소자 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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