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분리막;상기 분리막을 사이에 두고 배치된 양극과 음극; 및상기 양극과 상기 음극에 접하는 전해질을 포함하여 구성되어, 전극의 표면에 형성된 전기 이중층에 의해서 전기 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터로서,양극과 음극 중에 적어도 어느 하나가, 실리콘 기판과 상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성되며,상기 전해질이 전극을 구성하는 금속-실리사이드 나노선층에 직접 접촉하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 기판의 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체가 부착된 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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청구항 2에 있어서,상기 집전체와 상기 실리콘 기판이 전도성 접착제로 접착된 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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청구항 1에 있어서,상기 금속-실리사이드가 코발트-실리사이드인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터
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청구항 1의 슈퍼커패시터를 제조하는 방법으로서,실리콘 기판과 상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성된 양극 또는 음극을 제조하는 과정이,금속 선구체 물질을 가열하여 기화시키는 증기 생성 단계;기화된 금속 선구체 물질의 증기를 실리콘 기판의 표면으로 이송하는 이송 단계; 및이송된 금속 선구체 물질의 증기와 실리콘 기판의 표면이 반응하여 금속-실리사이드 나노선을 실리콘 기판의 표면에 직접 형성하는 나노선 형성 단계를 포함하여 구성되며,상기 나노선 형성 단계가 금속 선구체 물질의 증기가 분해되면서 그에 포함된 금속이 실리콘 기판 표면의 실리콘과 반응이 수행되는 온도로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 이송 단계가 이송가스를 흘려보내서 금속 선구체 물질의 증기를 움직이는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
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◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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청구항 6에 있어서,상기 실리콘 기판을 기준으로 상기 금속 선구체 물질과 반대편에 위치하는 진공펌프를 가동하여 이송가스가 실리콘 기판 쪽으로 흐르도록 하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
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청구항 5에 있어서,상기 나노선 형성 단계 이후에, 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체를 부착하는 집전체 부착 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터의 제조 방법
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◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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분리막, 상기 분리막을 사이에 두고 배치된 양극과 음극 및 상기 양극과 상기 음극에 접하는 전해질을 포함하여 구성되어, 전극의 표면에 형성된 전기 이중층에 의해서 전기 에너지를 저장하는 슈퍼커패시터에 사용되어, 상기 전해질이 직접 접촉하는 전극으로서,실리콘 기판; 및상기 실리콘 기판의 표면에 직접성장된 금속-실리사이드 나노선층으로 구성되며,상기 전해질이 금속-실리사이드 나노선층에 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극
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청구항 11에 있어서,상기 실리콘 기판의 금속-실리사이드 나노선층이 형성된 반대면에 전도성 재질의 집전체가 부착된 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극
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청구항 12에 있어서,상기 집전체와 상기 실리콘 기판이 전도성 접착제로 접착된 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극
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청구항 11에 있어서,상기 금속-실리사이드가 코발트-실리사이드인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 금속-실리사이드 나노선 기반 전극
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