| 1 |
1
양자점 박막의 전체 표면을 육방정계 질화붕소(h-BN)로 이루어진 배리어층으로 랩핑(wrapping)하는 방법에 있어서,(i) 기판상에 h-BN 박막층을 형성하는 단계와;(ii) 상기 h-BN 박막층 상에 폴리머를 도포함으로써 기판/h-BN/폴리머 박막을 형성하는 단계와;(iii) 염기성 용액 내에 상기 기판/h-BN/폴리머 박막을 침지하여 상기 기판과 상기 h-BN/폴리머 박막 간 계면영역의 상기 기판을 식각함으로써 상기 h-BN/폴리머 박막을 상기 기판으로부터 분리해내고, 분리된 상기 h-BN/폴리머 박막은 상기 용액의 표면에 부유하는 단계와;(iv) 양자점 박막을 상기 h-BN/폴리머 박막이 표면에 부유하는 상기 용액 내에 디핑함으로써 상기 양자점 박막의 표면이 상기 h-BN/폴리머 박막으로 코팅된 양자점/h-BN/폴리머 박막을 형성하는 단계와;(v) 상기 양자점/h-BN/폴리머 박막을 상기 폴리머를 용해가능한 용매 내에 침지함으로써 상기 양자점/h-BN/폴리머 박막으로부터 상기 폴리머를 선택적으로 용해 및 제거하여 양자점/h-BN 박막을 형성하는 단계와;(vi) 상기 양자점/h-BN 박막을 열처리함으로써 상기 양자점 층과 상기 h-BN 층 간의 밀착도를 증가시켜 전체 표면이 h-BN 배리어로 랩핑된 양자점 박막을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 (i) 단계에서 상기 h-BN 박막층의 형성은 화학기상증착법(CVD)으로 h-BN 박막층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 폴리머는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리라우릭메타아크릴레이트(PLMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG), 폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀고분자(COP), 사이클로올레핀코고분자(COC), 디시클로펜타디엔고분자(DCPD), 시클로펜타디엔고분자(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI) 및 폴리다이메틸실론세인(PDMS)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 (ii) 단계에서 상기 폴리머의 도포는 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 슬릿 코팅, 임프린팅, 잉크젯 프린팅, 바 코팅 및 스프레이로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 염기성 용액은 NaOH 수용액인 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 (vi) 단계에서 상기 열처리는 50~300℃의 온도범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 열처리는 진공 중에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 9 |
9
제7항 또는 제8항에 있어서,상기 열처리는 5분~5시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 양자점 박막은 II-V족계 화합물 반도체 나노결정, III-V족계 화합물 반도체 나노결정, CuInS2 반도체 나노결정, CuInSe2 반도체 나노결정, PbO 반도체 나노결정, PbSe 반도체 나노결정, PbTe 반도체 나노결정, Ag2S 반도체 나노결정, Ag2Se 반도체 나노결정, Ag2Te 반도체 나노결정, Cu2S 반도체 나노결정, Cu2Se 반도체 나노결정 및 Cu2Te 반도체 나노결정으로 이루어진 군에서 하나 이상 선택된 것을 특징으로 하는 양자점 박막의 배리어 랩핑방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
