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질화물 반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019004947
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 소자의 제조방법은 기판 상에, 차례로 적층된 제1 질화물 반도체층 및 제2 질화물 반도체층을 포함하는 활성층을 형성하는 것, 상기 활성층 상에, 차례로 적층된 제3 질화물 반도체층 및 제4 질화물 반도체층을 포함하는 전극을 형성하는 것, 상기 제4 질화물 반도체층의 상면 상에 상기 제3 질화물 반도체층보다 도펀트 농도가 높은 제5 질화물 반도체층을 형성하는 것, 상기 기판 상에 열처리 공정을 수행하여, 상기 제5 질화물 반도체층 내의 도펀트를 상기 제4 질화물 반도체층으로 확산시키는 것 및 상기 제5 질화물 반도체층을 제거하여 상기 제4 질화물 반도체층의 상면을 노출시키는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180108595 (2018.09.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0051775 (2019.05.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170146942   |   2017.11.06
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배성범 대전시 유성구
2 강동민 대전광역시 유성구
3 김성복 대전광역시 서구
4 도재원 대전광역시 유성구
5 문재경 대전광역시 유성구
6 안호균 대전광역시 유성구
7 이형석 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0904020-97
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번호 청구항
1 1
기판 상에, 차례로 적층된 제1 질화물 반도체층 및 제2 질화물 반도체층을 포함하는 활성층을 형성하는 것;상기 활성층 상에, 차례로 적층된 제3 질화물 반도체층 및 제4 질화물 반도체층을 포함하는 전극을 형성하는 것;상기 제4 질화물 반도체층의 상면 상에 상기 제3 질화물 반도체층보다 도펀트 농도가 높은 제5 질화물 반도체층을 형성하는 것;상기 기판 상에 열처리 공정을 수행하여, 상기 제5 질화물 반도체층 내의 도펀트를 상기 제4 질화물 반도체층으로 확산시키는 것; 및상기 제5 질화물 반도체층을 제거하여 상기 제4 질화물 반도체층의 상면을 노출시키는 것을 포함하는 질화물 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 방위사업청 한국전자통신연구원 민군겸용기술개발사업 초고주파 전력증폭기용 GaN-on-SiC 에피 소재 기술개발